NTMYS2D4N04CTWG

onsemi
863-NTMYS2D4N04CTWG
NTMYS2D4N04CTWG

Herst.:

Beschreibung:
MOSFETs 40V 140A 2.3Ohm Single N-Channel

ECAD Model:
Den kostenlosen Library Loader herunterladen, um diese Datei für Ihr ECAD Tool zu konvertieren. Weitere Infos zu ECAD-Modell.

Auf Lager: 2.935

Lagerbestand:
2.935 sofort lieferbar
Lieferzeit ab Hersteller:
34 Wochen Geschätzte Produktionszeit des Werks für Mengen, die größer als angezeigt sind.
Bestellmengen größer als 2935 können einer Mindestbestellmenge unterliegen.
Minimum: 1   Vielfache: 1
Stückpreis:
-,-- €
Erw. Preis:
-,-- €
Vorauss. Zolltarif:
Gehäuse:
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 3000)

Preis (EUR)

Menge Stückpreis
Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™
1,73 € 1,73 €
1,16 € 11,60 €
0,869 € 86,90 €
0,782 € 391,00 €
0,767 € 767,00 €
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 3000)
0,567 € 1.701,00 €
† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von 5,00 € hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden.

Produktattribut Attributwert Attribut auswählen
onsemi
Produktkategorie: MOSFETs
RoHS:  
REACH - SVHC:
Si
SMD/SMT
LFPAK-4
N-Channel
1 Channel
40 V
138 A
2.3 mOhms
- 20 V, 20 V
3.5 V
32 nC
- 55 C
+ 175 C
83 W
Enhancement
Reel
Cut Tape
MouseReel
Marke: onsemi
Konfiguration: Single
Abfallzeit: 18 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.: 92 S
Produkt-Typ: MOSFETs
Anstiegszeit: 50 ns
Serie: NTMYS2D4N04C
Verpackung ab Werk: 3000
Unterkategorie: Transistors
Transistorart: 1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit: 23 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit: 11 ns
Gewicht pro Stück: 75 mg
Produkte gefunden:
Um ähnliche Produkte anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen aus
Um ähnliche Produkte in dieser Kategorie anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen oben aus.
Ausgewählte Attribute: 0

TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
ECCN:
EAR99

Trench6-n-Kanal-MV-MOSFETs

onsemi Trench6-n-Kanal-MV-MOSFETs sind MOSFETs mit 30 V, 40 V und 60 V, die mit einem fortschrittlichen Power-Trench-Verfahren hergestellt werden, das die abgeschirmte Gate-Technologie enthält. Dieses Verfahren wurde für die Reduzierung des Einschaltwiderstands optimiert und bietet mit einer erstklassigen Soft-Bodydiode trotzdem eine überragende Schaltleistung.

LFPAK4 Industrie-Leistungs-MOSFETs

onsemi LFPAK4 Industrie-Leistungs-MOSFETs sind Einzel-n-Kanal-MOSFETs mit einem kleinen Footprint von 5 mm x 6 mm, die sich ideal für kompakte Designs eignen. Diese Bauteile verfügen über einen niedrigen Drain-Quellen-Einschaltwiderstand zur Reduzierung der Leitungsverluste und eine niedrige Gate-Ladung und Kapazität zur Reduzierung der Treiberverluste. Diese Industriestandard-Leistungs-MOSFET sind bleifrei, RoHS-konform und verfügen über einen großen Betriebstemperaturbereich von -55 °C bis +175 °C.