NTMFS6D2N08XT1G

onsemi
863-NTMFS6D2N08XT1G
NTMFS6D2N08XT1G

Herst.:

Beschreibung:
MOSFETs T10 80V STD NCH MOSFET SO8FL

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Produktattribut Attributwert Attribut auswählen
onsemi
Produktkategorie: MOSFETs
RoHS:  
Si
SMD/SMT
DFN-5
N-Channel
1 Channel
80 V
73 A
6.2 mOhms
20 V
3.6 V
19 nC
- 55 C
+ 175 C
68 W
Enhancement
Reel
Cut Tape
Marke: onsemi
Konfiguration: Single
Abfallzeit: 24 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.: 48 S
Produkt-Typ: MOSFETs
Anstiegszeit: 19 ns
Verpackung ab Werk: 1500
Unterkategorie: Transistors
Transistorart: 1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit: 15 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit: 10 ns
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Ausgewählte Attribute: 0

TARIC:
8541290000
USHTS:
8541290095
ECCN:
EAR99

T10 Nieder-/Mittelspannungs-MOSFETs

T10 Nieder-/Mittelspannungs-MOSFETs von onsemi sind Einzel-N-Kanal-Leistungs-MOSFETs in den Kategorien 40 V und 80 V mit verbessertem Betriebsverhalten, erhöhtem Systemwirkungsgrad und hoher Leistungsdichte. Diese Leistungs-MOSFETs verfügen über einen niedrigen RDS(on), um Leitungsverluste zu minimieren, und eine niedrige Kapazität, um Treiberverluste zu minimieren. Die T10 Nieder-/Mittelspannungs-MOSFETs verfügen über einen niedrigen QRR und eine Soft-Recovery-Body-Diode. Diese MOSFETs entsprechen der RoHS-Richtlinie und sind bleifrei und halogenfrei/BFR-frei. Typische Applikationen sind Synchrongleichrichtung (SR) in DC/DC- und AC-DC-Wandlern, Primärschalter in isolierten DC/DC-Wandlern, Batterieschutz und Motorantriebe.