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NTMFS008N12MCT1G

Name: onsemi NTMFS008N12MCT1G
Brand: onsemi
SKU: 863-NTMFS008N12MCT1G
Price: 2.18 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

863-NTMFS008N12MCT1G

Herst.- Nr.:

NTMFS008N12MCT1G

Herst.:

onsemi

Beschreibung:

MOSFETs PTNG 120V SG

Datenblatt:

NTMFS008N12MCT1G Datenblatt

ECAD Model:

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	1,14 €	114,00 €
	1,04 €	520,00 €
	0,886 €	886,00 €
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 1500)
	0,879 €	1.318,50 €

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	onsemi
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	SO-8FL-4
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	120 V
Id - Drain-Gleichstrom:	79 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	8 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	4 V
Qg - Gate-Ladung:	33 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	102 W
Kanalmodus:	Enhancement
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Marke:	onsemi
Produkt-Typ:	MOSFETs
Serie:	NTMFS008N12MC
Verpackung ab Werk:	1500
Unterkategorie:	Transistors

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Datenblatt

NTMFS008N12MCT1G Datenblatt

Material Composition Disclosure

TARIC:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

n-Einkanal-Leistungs-MOSFETs

Die n-Einzelkanal-Leistungs-MOSFETs von onsemi sind MOSFETs mit kleinem Footprint und kompaktem Design mit niedrigem R_DS(on) und geringer Kapazität. Der niedrige R_DS(on)-Wert sorgt für eine Reduzierung der Leitungsverluste und die geringe Kapazität reduziert die Treiberverluste. Diese n-Einkanal-Leistungs-MOSFETs sind bleifrei und RoHS-konform und verfügen über einen Betriebstemperaturbereich von -55 °C bis +175 °C.