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NTBGS6D5N15MC

Name: onsemi NTBGS6D5N15MC
Brand: onsemi
SKU: 863-NTBGS6D5N15MC
Price: 4.86 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

863-NTBGS6D5N15MC

Herst.- Nr.:

NTBGS6D5N15MC

Herst.:

onsemi

Beschreibung:

MOSFETs PTNG 150V IN SUZHOU D2PAK7L FOR INDUSTRIAL

Datenblatt:

NTBGS6D5N15MC Datenblatt

ECAD Model:

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	2,97 €	297,00 €
	2,88 €	1.440,00 €
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Hersteller:	onsemi
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	D2PAK-7
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	150 V
Id - Drain-Gleichstrom:	121 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	7 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	4.5 V
Qg - Gate-Ladung:	57 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Pd - Verlustleistung:	238 W
Kanalmodus:	Enhancement
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Marke:	onsemi
Produkt-Typ:	MOSFETs
Serie:	NTBGS6D5N15MC
Verpackung ab Werk:	800
Unterkategorie:	Transistors
Gewicht pro Stück:	4,675 g

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Datenblatt

NTBGS6D5N15MC Datenblatt

PCN

Material Composition Disclosure

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

NTBGSxDxN15MC & NVBGSxDxN15MC m-Kanal MOSFETs

DieNTBGSxDxN15MC und NVBGSxDxN15MC n-Kanal-MOSFETs von onsemi verfügen über eine Drain-Quellenspannung (V_(BR)DSS) von 150 V und ein niedriges Schaltrauschen/EMI. Diese Bauteile bieten einen niedrigen Q_G und eine geringe Kapazität zur Reduzierung von Treiberverlusten und einen niedrigen R_DS(on) zur Reduzierung von Leitungsverlusten. Die NTBGSxDxN15MC und NVBGSxDxN15MC MOSFETs sind in einem bleifreien, halogen-/BFR-freien und RoHS-konformen D²PAK7-Gehäuse erhältlich Zu den typischen Applikationen gehören Elektrowerkzeuge, batteriebetriebene Vakuen, UAV/Drohnen, Materialtransport, BMS/Speicherung, Heimautomatisierung, Industrie-Gabelstapler und Traktionssteuerungssysteme.