NSV1C301CTWG

onsemi
863-NSV1C301CTWG
NSV1C301CTWG

Herst.:

Beschreibung:
Bipolartransistoren - BJT 100 V, 3.0 A Low VCE(sat) NPN Bipolar Junction Transistor, Automotive

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onsemi
Produktkategorie: Bipolartransistoren - BJT
RoHS:  
REACH - SVHC:
LFPAK-4
NSS1C301CT
Reel
Cut Tape
Marke: onsemi
Produkt-Typ: BJTs - Bipolar Transistors
Verpackung ab Werk: 3000
Unterkategorie: Transistors
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TARIC:
8541210000
CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290095
ECCN:
EAR99

e2PowerEdge Transistoren mit niedriger VCE(sat)-Spannung

Die e2PowerEdge Transistoren mit niedriger VCE(sat)-Spannung von onsemi sind oberflächenmontierte Bauteile mit extrem niedriger Sättigungsspannung (VCE(sat)) und hoher Stromverstärkungsfähigkeit. Sie sind für Niederspannungs-Hochgeschwindigkeits-Schaltapplikationen konzipiert, bei denen eine kostengünstige und effiziente Energiesteuerung unerlässlich ist. Zu den typischen Applikationen gehören DC/DC-Wandler und Energiemanagement in tragbaren und batteriebetriebenen Produkten wie Mobiltelefone, PDAs, Computer, Drucker, Digitalkameras und MP3-Player. Weitere Applikationen sind Niederspannungs-Motorsteuerungen in Massenspeicherprodukten wie Scheiben- und Bandantrieben. Diese können für den Airbag-Einsatz und Kombiinstrumente in der Automotive-Industrie verwendet werden. Die hohe Stromverstärkung ermöglicht die Ansteuerung der e2PowerEdge-Bauteile von onsemi direkt von den Steuerausgängen der PMUs und die lineare Gain (Beta) machen sie zu idealen Komponenten in analogen Verstärkern.