NSS60101DMTTBG

onsemi
863-NSS60101DMTTBG
NSS60101DMTTBG

Herst.:

Beschreibung:
Bipolartransistoren - BJT DUAL 60V 1A LOWVCESA

ECAD Model:
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onsemi
Produktkategorie: Bipolartransistoren - BJT
RoHS:  
Si
SMD/SMT
NPN
Single
1 A
60 V
60 V
6 V
130 mV
2.27 W
180 MHz
- 55 C
+ 150 C
NSS60101DMT
Reel
Cut Tape
MouseReel
Marke: onsemi
Produkt-Typ: BJTs - Bipolar Transistors
Verpackung ab Werk: 3000
Unterkategorie: Transistors
Gewicht pro Stück: 8,690 mg
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Ausgewählte Attribute: 0

TARIC:
8541210000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541210000
USHTS:
8541290055
JPHTS:
8541210101
KRHTS:
8541219000
MXHTS:
85412101
ECCN:
EAR99

e2PowerEdge Transistoren mit niedriger VCE(sat)-Spannung

Die e2PowerEdge Transistoren mit niedriger VCE(sat)-Spannung von onsemi sind oberflächenmontierte Bauteile mit extrem niedriger Sättigungsspannung (VCE(sat)) und hoher Stromverstärkungsfähigkeit. Sie sind für Niederspannungs-Hochgeschwindigkeits-Schaltapplikationen konzipiert, bei denen eine kostengünstige und effiziente Energiesteuerung unerlässlich ist. Zu den typischen Applikationen gehören DC/DC-Wandler und Energiemanagement in tragbaren und batteriebetriebenen Produkten wie Mobiltelefone, PDAs, Computer, Drucker, Digitalkameras und MP3-Player. Weitere Applikationen sind Niederspannungs-Motorsteuerungen in Massenspeicherprodukten wie Scheiben- und Bandantrieben. Diese können für den Airbag-Einsatz und Kombiinstrumente in der Automotive-Industrie verwendet werden. Die hohe Stromverstärkung ermöglicht die Ansteuerung der e2PowerEdge-Bauteile von onsemi direkt von den Steuerausgängen der PMUs und die lineare Gain (Beta) machen sie zu idealen Komponenten in analogen Verstärkern.