NSS40300MDR2G Bipolartransistoren - BJT

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Menge RoHS ECAD Model Technologie
Montageart
Verpackung/Gehäuse
Transistorpolung
Konfiguration
Maximaler Kollektorgleichstrom (DC)
Kollektor-Emitterspannung VCEO max.
Kollektor-Basisspannung VCBO
Emitter-Basisspannung VEBO
Sättigungsspannung Kollektor-Emitter
Pd - Verlustleistung
Bandbreitengewinnungsprodukt fT
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Serie
Verpackung
onsemi Bipolartransistoren - BJT 40V 6A LOW VCE(SAT) DUAL PNP
Datenblatt
2.356Auf Lager
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 2.500

Si SMD/SMT SOIC-8 PNP Dual 3 A 40 V 40 V 7 V 135 mV 783 mW 100 MHz - 55 C + 150 C NSS40300MD Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated NSS40300MDR2G
Diodes Incorporated Bipolartransistoren - BJT N/A
Si PNP Dual 3 A 40 V 40 V 7 V 783 mW 100 MHz - 55 C + 150 C