Scheinbar haben Sie Javascript in Ihrem Browser deaktiviert. Einige Funktionen auf dieser Seite funktionieren nur, wenn Sie sich anmelden.

Zurück zu Suchergebnissen

Wird ein Fehler angezeigt?

NSS1C301CTWG

Name: onsemi NSS1C301CTWG
Brand: onsemi
SKU: 863-NSS1C301CTWG
Price: 1.31 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

863-NSS1C301CTWG

Herst.- Nr.:

NSS1C301CTWG

Herst.:

onsemi

Beschreibung:

Bipolartransistoren - BJT 100 V, 3.0 A Low VCE(sat) NPN Bipolar Junction Transistor 100 V, 3 A

Datenblatt:

NSS1C301CTWG Datenblatt

ECAD Model:

Den kostenlosen Library Loader herunterladen, um diese Datei für Ihr ECAD Tool zu konvertieren. Weitere Infos zu ECAD-Modell.

Mehr über

Weitere Informationen zu onsemi NSS1C301CTWG

Auf Lager: 80

Lagerbestand:: 80 sofort lieferbar

Ein unerwarteter Fehler ist aufgetreten. Bitte versuchen Sie es später noch einmal.
Lieferzeit ab Hersteller:: 38 Wochen Geschätzte Produktionszeit des Werks für Mengen, die größer als angezeigt sind.

Lange Lieferzeit für dieses Produkt.

Menge eingeben:

Minimum: 1 Vielfache: 1

Stückpreis:

-,-- €

Erw. Preis:

-,-- €

Vorauss. Zolltarif:

Preis (EUR)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
	1,31 €	1,31 €
	0,824 €	8,24 €
	0,546 €	54,60 €
	0,432 €	216,00 €
	0,389 €	389,00 €
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 3000)
	0,357 €	1.071,00 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	onsemi
Produktkategorie:	Bipolartransistoren - BJT
RoHS:
Verpackung/Gehäuse:	LFPAK-4
Serie:	NSS1C301CT
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Marke:	onsemi
Produkt-Typ:	BJTs - Bipolar Transistors
Verpackung ab Werk:	3000
Unterkategorie:	Transistors

Produkte gefunden:

Um ähnliche Produkte anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen aus

Um ähnliche Produkte in dieser Kategorie anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen oben aus.

Ausgewählte Attribute: 0

Dokument filtern:

Datenblatt

NSS1C301CTWG Datenblatt

Material Composition Disclosure

TARIC:: 8541210000
USHTS:: 8541290095
ECCN:: EAR99

e2PowerEdge Transistoren mit niedriger VCE(sat)-Spannung

Die e2PowerEdge Transistoren mit niedriger V_CE(sat)-Spannung von onsemi sind oberflächenmontierte Bauteile mit extrem niedriger Sättigungsspannung (VCE_(sat)) und hoher Stromverstärkungsfähigkeit. Sie sind für Niederspannungs-Hochgeschwindigkeits-Schaltapplikationen konzipiert, bei denen eine kostengünstige und effiziente Energiesteuerung unerlässlich ist. Zu den typischen Applikationen gehören DC/DC-Wandler und Energiemanagement in tragbaren und batteriebetriebenen Produkten wie Mobiltelefone, PDAs, Computer, Drucker, Digitalkameras und MP3-Player. Weitere Applikationen sind Niederspannungs-Motorsteuerungen in Massenspeicherprodukten wie Scheiben- und Bandantrieben. Diese können für den Airbag-Einsatz und Kombiinstrumente in der Automotive-Industrie verwendet werden. Die hohe Stromverstärkung ermöglicht die Ansteuerung der e2PowerEdge-Bauteile von onsemi direkt von den Steuerausgängen der PMUs und die lineare Gain (Beta) machen sie zu idealen Komponenten in analogen Verstärkern.