MWT-LN600

CML Micro
938-MWT-LN600
MWT-LN600

Herst.:

Beschreibung:
MOSFET HF-Transistoren Low Noise pHEMT Devices

Datenblatt:
ECAD Model:
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CML Micro
Produktkategorie: MOSFET HF-Transistoren
RoHS:  
GaAs
175 mA
4.5 V
26 GHz
8 dB, 11 dB
20 dBm
+ 150 C
Die
Bulk
Marke: CML Micro
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.: 300 mS
Pd - Verlustleistung: 500 mW
Produkt-Typ: RF MOSFET Transistors
Serie: MWT
Verpackung ab Werk: 10
Unterkategorie: MOSFETs
Handelsname: MWT-LN600
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Datenblatt

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TARIC:
8541290000
USHTS:
8541210040
ECCN:
EAR99

GaAs FET & pHEMT Devices

MicroWave Technology GaAs FET and pHEMT Devices are ultra-linear, high-dynamic range, and low-phase noise devices that include commercial, industrial, military, and space-grade variants. The GaAs process employed by MicroWave Technology is approved for space applications with proven reliability. These devices come with standard and custom device specifications with high-rel and space-rel screening options availability. The GaAs FET and pHEMT devices are RoHS (lead-free) compliant and offer 100% wafer bond pull, die shear, wafer DC burn-in, and bake tests in evaluation per MIL-PRF-38534. These devices are typically suitable for oscillators, narrow-band, wideband applications, space, and military applications.

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