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MSCSM120AM31CTBL1NG

Name: Microchip MSCSM120AM31CTBL1NG
Brand: Microchip Technology
SKU: 579-SM120AM31CTBL1NG
Price: 106.2 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

579-SM120AM31CTBL1NG

Herst.- Nr.:

MSCSM120AM31CTBL1NG

Herst.:

Microchip Technology

Beschreibung:

Diskrete Halbleitermodule PM-MOSFET-SIC-SBD-BL1

Datenblatt:

MSCSM120AM31CTBL1NG Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

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.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

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Hersteller:	Microchip
Produktkategorie:	Diskrete Halbleitermodule
RoHS:
Produkt:	MOSFET-SiC SBD Modules
Typ:	MOSFET / SiC SBD
Technologie:	SiC
Vf - Durchlassspannung:	1.5 V
Vr - Sperrspannung:	1.2 kV
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 10 V, + 25 V
Montageart:	Screw Mount
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Marke:	Microchip Technology
Konfiguration:	Phase Leg
Abfallzeit:	25 ns
Id - Drain-Gleichstrom:	79 A
Pd - Verlustleistung:	310 W
Produkt-Typ:	Discrete Semiconductor Modules
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	31 mOhms
Anstiegszeit:	30 ns
Verpackung ab Werk:	1
Unterkategorie:	Discrete Semiconductor Modules
Transistorpolung:	N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	50 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	30 ns
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	1.2 kV
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	1.8 V

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USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

MSCSM120x MOSFET-Leistungsmodule

Microchip Technology MSCSM120x MOSFET-Leistungsmodule sind Wandler mit hohem Wirkungsgrad, die über ein Si₃N₄-Substrat mit dicker Kupferschicht für eine verbesserte thermische Leistung verfügen. Diese Module bieten ein niedriges Profil, eine direkte Montage am Kühlkörper (isoliertes Gehäuse), einen internen Thermistor für die Temperaturüberwachung und einen erweiterten Temperaturbereich. Die MSCSM120x Module werden bei einer Sperrspannung (V_R) von 1,2 kV, einem Gate-Quellenspannungsbereich (V_GS) von -10 V bis 25 V, einer Verlustleistung (P_D) von 310 W/560 W und einem Dauersenkenstrom (I_D) von 79 A/150 A betrieben. Diese Module werden in Applikationen, wie z. B. hochzuverlässige Leistungssysteme, AC/DC- und DC/AC-Wandler mit hohem Wirkungsgrad, Motorsteuerung und AC-Schalter verwendet.