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MSC031SMC120B4N

Name: Microchip MSC031SMC120B4N
Brand: Microchip Technology
SKU: 579-MSC031SMC120B4N
Price: 12.3 EUR
Availability: OutOfStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

579-MSC031SMC120B4N

Herst.- Nr.:

MSC031SMC120B4N

Herst.:

Microchip Technology

Beschreibung:

SiC-MOSFETs MOSFET SIC 1200 V 31 mOhm TO-247-4 Notch

Lebenszyklus:

Neues Produkt:

Neu von diesem Hersteller.

Datenblatt:

MSC031SMC120B4N Datenblatt (PDF)

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.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

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Hersteller:	Microchip
Produktkategorie:	SiC-MOSFETs
RoHS:
Montageart:	Through Hole
Verpackung/Gehäuse:	TO-247-4
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	1.2 kV
Id - Drain-Gleichstrom:	72 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	42 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 10 V, 21 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	5 V
Qg - Gate-Ladung:	70 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Pd - Verlustleistung:	326 W
Kanalmodus:	Enhancement
Marke:	Microchip Technology
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	13 ns
Produkt-Typ:	SiC MOSFETS
Anstiegszeit:	16 ns
Verpackung ab Werk:	30
Unterkategorie:	Transistors
Technologie:	SiC
Transistorart:	1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	30 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	18 ns

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ECCN:: EAR99

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