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MR2A08ACYS35

Name: Everspin Technologies MR2A08ACYS35
Brand: Everspin Technologies
SKU: 936-MR2A08ACYS35
Price: 30.66 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

936-MR2A08ACYS35

Herst.- Nr.:

MR2A08ACYS35

Herst.:

Everspin Technologies

Beschreibung:

MRAM 4Mb 3.3V 35ns 512Kx8 Parallel MRAM

Datenblatt:

MR2A08ACYS35 Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

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Menge	Stückpreis	Erw. Preis
	30,66 €	30,66 €
	28,36 €	283,60 €
	27,45 €	686,25 €
	26,77 €	1.338,50 €
	25,83 €	2.583,00 €
	25,16 €	6.793,20 €
1.080	Kostenvoranschlag

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Everspin Technologies
Produktkategorie:	MRAM
RoHS:
Verpackung/Gehäuse:	TSOP-II-44
Schnittstellen-Typ:	Parallel
Speichergröße:	4 Mbit
Organisation:	512 k x 8
Datenbus-Weite:	8 bit
Zugangszeit:	35 ns
Versorgungsspannung - Min.:	3 V
Versorgungsspannung - Max.:	3.6 V
Betriebsversorgungsstrom:	30 mA, 90 mA
Minimale Betriebstemperatur:	- 40 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 85 C
Serie:	MR2A08A
Verpackung:	Tray
Marke:	Everspin Technologies
Feuchtigkeitsempfindlich:	Yes
Montageart:	SMD/SMT
Pd - Verlustleistung:	600 mW
Produkt-Typ:	MRAM
Verpackung ab Werk:	135
Unterkategorie:	Memory & Data Storage
Handelsname:	Parallel I/O (x8)
Gewicht pro Stück:	5 g

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Datenblatt

MR2A08ACYS35 Datenblatt (PDF)

Application Notes

Improved Magnetic Immunity on 4Mb (256KbX16), 4mb (512kbX8) and 1Mb (64KbX16) TSOP2 Industrial and Extended Temperature Grade Products (PDF)

PCN

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CNHTS:: 8542329010
CAHTS:: 8542320090
USHTS:: 8542320071
JPHTS:: 8542320312
KRHTS:: 8542321040
MXHTS:: 8542320299
ECCN:: EAR99

MR2A08A & MR2A16A 4Mb Parallel MRAM

Everspin Technologies MR2A08A and MR2A16A 4Mb Parallel MRAM devices offer SRAM compatible 35ns read/write timing with unlimited endurance. The MR2A08A series products are 4,194,304-bit Magnetoresistive Random Access Memory (MRAM) devices organized as 524,288 words of 8 bits.

Magnetoresistive Random Access Memory (MRAM)

Everspin Technologies Magnetoresistive Random Access Memory (MRAM) delivers significantly long data retention of >20 years and unlimited endurance. The data is automatically protected on power loss by low-voltage inhibit circuitry to prevent writes with voltage out of specification. These MRAM devices feature a 1 transistor – 1 magnetic tunnel junction (1T-1MTJ) architecture. Everspin MRAM products consist of serial SPI MRAMs and parallel interface MRAMs. The serial SPI MRAMs offer ideal memory for applications that must store and retrieve data and programs quickly using a minimum number of pins. The parallel interface MRAMs are SRAM compatible with 35ns/45ns access timing and unlimited endurance.