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MJD41CQ-13

Name: Diodes Incorporated MJD41CQ-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 621-MJD41CQ-13
Price: 0.82 EUR
Availability: OutOfStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

621-MJD41CQ-13

Herst.- Nr.:

MJD41CQ-13

Herst.:

Diodes Incorporated

Beschreibung:

Bipolartransistoren - BJT Pwr Hi Voltage Transistor TO252 T&R 2.5K

Datenblatt:

MJD41CQ-13 Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

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Hersteller:	Diodes Incorporated
Produktkategorie:	Bipolartransistoren - BJT
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	TO-252-3
Transistorpolung:	NPN
Konfiguration:	Single
Kollektor-Emitterspannung VCEO max.:	100 V
Kollektor-Basisspannung VCBO:	120 V
Emitter-Basisspannung VEBO:	7 V
Sättigungsspannung Kollektor-Emitter:	1.5 V
Pd - Verlustleistung:	2.7 W
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Qualifikation:	AEC-Q100
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Marke:	Diodes Incorporated
Kollektorgleichstrom:	6 A
DC-Kollektor/Basisgewinnung hfe Min:	15
Produkt-Typ:	BJTs - Bipolar Transistors
Verpackung ab Werk:	2500
Unterkategorie:	Transistors

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PCN

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TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290055
JPHTS:: 854129000
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MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

MJD Medium Automobil-Leistungstransistoren

Die MJD Medium Automobil-Leistungstransistoren von Diodes Inc. sind bipolare Transistoren, die AEC-Q101-qualifiziert, PPAP-fähig sind und in IATF16949-zertifizierten Anlagen gefertigt werden. Jedes Bauelement verfügt über eine Kollektor-Emitter-Durchschlagspannung von 50 V oder 100 V (Minimum). Die MJD Medium Automobil-Leistungstransistoren von Diodes Inc. verfügen über ein TO 252-Gehäuse (DPAK) und sind ideal für Leistungsschalt- oder Verstärkungsanwendungen.