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MASTERGAN4

Name: STMicroelectronics MASTERGAN4
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-MASTERGAN4
Price: 7.45 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

511-MASTERGAN4

Herst.- Nr.:

MASTERGAN4

Herst.:

STMicroelectronics

Beschreibung:

Gate-Treiber High power density 600V half-bridge driver with two enhancement mode GaN HEMTs

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Datenblatt:

MASTERGAN4 Datenblatt (PDF)

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Menge	Stückpreis	Erw. Preis
	7,45 €	7,45 €
	5,74 €	57,40 €
	5,32 €	133,00 €
	4,85 €	485,00 €
	4,71 €	1.177,50 €
	4,60 €	2.300,00 €
	4,23 €	4.230,00 €
	4,20 €	10.500,00 €
4.680	Kostenvoranschlag

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	STMicroelectronics
Produktkategorie:	Gate-Treiber
RoHS:
Produkt:	Half-Bridge Drivers
Typ:	Half-Bridge
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	QFN-31
Anzahl der Treiber:	2 Driver
Anzahl der Ausgänge:	3 Output
Ausgangsstrom:	6.5 A
Versorgungsspannung - Min.:	3.3 V
Versorgungsspannung - Max.:	15 V
Minimale Betriebstemperatur:	- 40 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 125 C
Serie:	MASTERGAN
Verpackung:	Tray
Marke:	STMicroelectronics
Kenndaten und Eigenschaften:	600 V System-in-Package Integrating Half-Bridge Gate Driver
Eingangsspannung – Max:	15 V
Eingangsspannung – Min:	3.3 V
Feuchtigkeitsempfindlich:	Yes
Produkt-Typ:	Gate Drivers
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	225 mOhms
Verpackung ab Werk:	1560
Unterkategorie:	PMIC - Power Management ICs
Gewicht pro Stück:	150 mg

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Datenblatt

MASTERGAN4 Datenblatt (PDF)

PCN

Konformitätscodes

CNHTS:: 8542399000
CAHTS:: 8542390000
USHTS:: 8542390090
MXHTS:: 8542399999
ECCN:: EAR99

Ursprungsklassifikationen

Ursprungsland:: Taiwan
Herstellungsland:: Nicht lieferbar
Land der Verbreitung:: Nicht lieferbar

Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

MASTERGAN GaN-Halbbrücken-Hochspannungstreiber

Die MASTERGAN GaN-Halbbrücken-Hochspannungstreiber von STMicroelectronics implementieren eine Stromversorgung mit hoher Leistungsdichte durch die Integration sowohl eines Gate-Treibers als auch zweier GaN-Transistoren im Anreicherungsmodus in einer Halbbrückenkonfiguration. Die integrierten Leistungs-GaNs verfügen über einen R_DS(ON) von 150 mΩ und Drain-Source-Durchschlagspannung von 650 V. Die integrierte Bootstrap-Diode kann die High-Seite des integrierten Gate-Treibers schnell versorgen.