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LF2181NTR

Name: IXYS LF2181NTR
Brand: IXYS Integrated Circuits
SKU: 747-LF2181NTR
Price: 1.69 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

747-LF2181NTR

Herst.- Nr.:

LF2181NTR

Herst.:

IXYS Integrated Circuits

Beschreibung:

Gate-Treiber HI LO Side DRVR 1.4A SOIC(N)-8

Datenblatt:

LF2181NTR Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

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Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 2500)

Cut-Tape

MouseReel™ (+5,00 €)

Preis (EUR)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	1,69 €	1,69 €
	1,25 €	12,50 €
	1,14 €	28,50 €
	1,01 €	101,00 €
	0,955 €	238,75 €
	0,92 €	460,00 €
	0,918 €	918,00 €
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 2500)
	0,918 €	2.295,00 €

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von 5,00 € hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	IXYS
Produktkategorie:	Gate-Treiber
RoHS:
Produkt:	Driver ICs - Various
Typ:	High-Side, Low-Side
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	SOIC-8
Anzahl der Treiber:	1 Driver
Anzahl der Ausgänge:	2 Output
Versorgungsspannung - Min.:	10 V
Versorgungsspannung - Max.:	20 V
Anstiegszeit:	40 ns
Abfallzeit:	20 ns
Minimale Betriebstemperatur:	- 40 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 125 C
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	IXYS Integrated Circuits
Logiktyp:	CMOS, TTL
Maximale Abschaltverzögerungszeit:	330 ns
Maximale Anschaltverzögerungszeit:	270 ns
Feuchtigkeitsempfindlich:	Yes
Betriebsversorgungsstrom:	120 uA
Pd - Verlustleistung:	625 mW
Produkt-Typ:	Gate Drivers
Verzögerungszeit - Max.:	35 ns
Verpackung ab Werk:	2500
Unterkategorie:	PMIC - Power Management ICs
Technologie:	Si

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Datenblatt

LF2181NTR Datenblatt (PDF)

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TARIC:: 8542399000
CNHTS:: 8542399000
USHTS:: 8542390090
ECCN:: EAR99

Gate-Treiber für N-Kanal-MOSFETs und IGBTs

Die Gate-Treiber für N-Kanal-MOSFETs und IGBTs von IXYS umfassen Hochspannungs-Gate-Treiber mit hoher Geschwindigkeit und dreiphasige Gate-Treiber-ICs. Diese Bauteile sind für die Ansteuerung von zwei N-Kanal-MOSFETs oder IGBTs in einer Halbbrückenkonfiguration oder High-Side/Low-Side-Konfiguration ausgelegt. Die Hochspannungstechnologie ermöglicht es, die Hochspannungsseite im Bootstrap-Betrieb auf 600 V zu schalten. Die Treiber bieten Puffer mit hohem Impulsstrom, die für minimale Treiber-Querströme ausgelegt sind. Zu den weiteren Merkmalen gehören Logikschaltungen mit 3,3-V-Fähigkeit, Schmitt-getriggerte Logikeingänge und UVLO-Schutz (Unterspannungssperre). Die Gate-Treiber für N-Kanal-MOSFETs und IGBTs von IXYS arbeiten über einen erweiterten Temperaturbereich von -40 °C bis +125 °C.

High-Side- und Low-Side-Gate-Treiber-ICs

IXYS High-Side- und Low-Side-Gate-Treiber-ICs bieten eine Senken-/Quellen-Ausgangsstrombelastbarkeit von 600 mA/290 mA bis 4,5 A/4,5 A. Die Bauteile verfügen über einen großen Betriebsspannungsbereich von 10 V bis 20 V. Zu den Schutzfunktionen gehören Unterspannungssperre (UVLO) und Durchzündungsschutz. Die High-Side- und Low-Side-Gate-Treiber-ICs von IXYS werden von -40 °C bis +125 °C betrieben und sind in SOIC-8-, -14-, -16-Industriestandard-Gehäusen und Pinbelegungen verfügbar.