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IXTT1N450HV

Name: IXYS IXTT1N450HV
Brand: IXYS
SKU: 747-IXTT1N450HV
Price: 41.81 EUR
Availability: OutOfStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

747-IXTT1N450HV

Herst.- Nr.:

IXTT1N450HV

Herst.:

IXYS

Beschreibung:

MOSFETs 4500V 1A HV Power MOSFET

Datenblatt:

IXTT1N450HV Datenblatt

ECAD Model:

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Hersteller:	IXYS
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	D3PAK-3 (TO-268-3)
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	4.5 kV
Id - Drain-Gleichstrom:	3 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	80 Ohms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	3.5 V
Qg - Gate-Ladung:	46 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	520 W
Kanalmodus:	Enhancement
Verpackung:	Tube
Marke:	IXYS
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	120 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	0.4 S
Feuchtigkeitsempfindlich:	Yes
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	43 ns
Serie:	IXTT1N450
Verpackung ab Werk:	30
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	73 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	30 ns
Gewicht pro Stück:	4 g

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Datenblatt

IXTT1N450HV Datenblatt

PCN

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TARIC:: 8541900000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 8541900299
ECCN:: EAR99

High Voltage IEEE 1500V+ Discrete Semiconductors Transistors

4500V High Voltage Power MOSFETs

IXYS 4500V High Voltage Power MOSFETs are the highest voltage Power MOSFET product line in the industry in international standard size packages. The current ratings range from 200mA to 2A. IXYS 4500V High Voltage Power MOSFETs specifically designed to address demanding, fast-switching power conversion applications requiring very high blocking voltages up to 4.5kV.