Scheinbar haben Sie Javascript in Ihrem Browser deaktiviert. Einige Funktionen auf dieser Seite funktionieren nur, wenn Sie sich anmelden.

Zurück zu Suchergebnissen

Wird ein Fehler angezeigt?

IXTF1N450

Name: IXYS IXTF1N450
Brand: IXYS
SKU: 747-IXTF1N450
Price: 81.84 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

747-IXTF1N450

Herst.- Nr.:

IXTF1N450

Herst.:

IXYS

Beschreibung:

MOSFETs 4500V 0.9A HV Power MOSFET

Datenblatt:

IXTF1N450 Datenblatt

ECAD Model:

Den kostenlosen Library Loader herunterladen, um diese Datei für Ihr ECAD Tool zu konvertieren. Weitere Infos zu ECAD-Modell.

Mehr über

Weitere Informationen zu IXYS IXTF1N450

Auf Lager: 166

Lagerbestand:: 166 sofort lieferbar

Ein unerwarteter Fehler ist aufgetreten. Bitte versuchen Sie es später noch einmal.
Lieferzeit ab Hersteller:: 57 Wochen Geschätzte Produktionszeit des Werks für Mengen, die größer als angezeigt sind.

Bestellmengen größer als 166 können einer Mindestbestellmenge unterliegen.

Menge eingeben:

Minimum: 1 Vielfache: 1

Stückpreis:

-,-- €

Erw. Preis:

-,-- €

Vorauss. Zolltarif:

Dieses Produkt wird KOSTENLOS versandt

Preis (EUR)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
	81,84 €	81,84 €
	69,69 €	696,90 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	IXYS
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	Through Hole
Verpackung/Gehäuse:	ISOPLUS-i4-PAK-3
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	4.5 kV
Id - Drain-Gleichstrom:	900 mA
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	80 Ohms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	3.5 V
Qg - Gate-Ladung:	46 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	160 W
Kanalmodus:	Enhancement
Verpackung:	Tube
Marke:	IXYS
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	120 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	0.4 S
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	43 ns
Serie:	IXTF1N450
Verpackung ab Werk:	25
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	73 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	30 ns
Gewicht pro Stück:	6,500 g

Produkte gefunden:

Um ähnliche Produkte anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen aus

Um ähnliche Produkte in dieser Kategorie anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen oben aus.

Ausgewählte Attribute: 0

Dokument filtern:

Datenblatt

IXTF1N450 Datenblatt

PCN

Product Change Notification (PDF)

Für diese Funktionalität ist die Aktivierung von JavaScript erforderlich.

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

High Voltage IEEE 1500V+ Discrete Semiconductors Transistors

4500V High Voltage Power MOSFETs

IXYS 4500V High Voltage Power MOSFETs are the highest voltage Power MOSFET product line in the industry in international standard size packages. The current ratings range from 200mA to 2A. IXYS 4500V High Voltage Power MOSFETs specifically designed to address demanding, fast-switching power conversion applications requiring very high blocking voltages up to 4.5kV.