IS66WVR4M8ALL-104NLI

Name: ISSI IS66WVR4M8ALL-104NLI
Brand: ISSI
SKU: 870-6WVR4M8ALL104NLI
Price: 3.23 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

870-6WVR4M8ALL104NLI

Herst.- Nr.:

IS66WVR4M8ALL-104NLI

Herst.:

ISSI

Beschreibung:

DRAM 32Mb, SerialRAM, Continuous Operation, 1.65V-1.95V, 104MHz, 8 pin SOIC 150 mil, RoHS

Lebenszyklus:

Neues Produkt:

Neu von diesem Hersteller.

Datenblatt:

IS66WVR4M8ALL-104NLI Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

Den kostenlosen Library Loader herunterladen, um diese Datei für Ihr ECAD Tool zu konvertieren. Weitere Infos zu ECAD-Modell.

Mehr über

Weitere Informationen zu ISSI IS66WVR4M8ALL-104NLI

Auf Lager: 88

Lagerbestand:: 88 sofort lieferbar

Ein unerwarteter Fehler ist aufgetreten. Bitte versuchen Sie es später noch einmal.
Lieferzeit ab Hersteller:: 28 Wochen Geschätzte Produktionszeit des Werks für Mengen, die größer als angezeigt sind.

Menge eingeben:

Minimum: 1 Vielfache: 1 Maximal: 1

Stückpreis:

-,-- €

Erw. Preis:

-,-- €

Vorauss. Zolltarif:

Preis (EUR)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
	3,23 €	3,23 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	ISSI
Produktkategorie:	DRAM
RoHS:
Typ:	PSRAM (Pseudo SRAM)
Speichergröße:	32 Mbit
Datenbus-Weite:	8 bit
Maximale Taktfrequenz:	104 MHz
Verpackung/Gehäuse:	SOIC-8
Organisation:	4 M x 8
Zugangszeit:	7 ns
Versorgungsspannung - Min.:	1.65 V
Versorgungsspannung - Max.:	1.95 V
Minimale Betriebstemperatur:	- 40 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 85 C
Marke:	ISSI
Feuchtigkeitsempfindlich:	Yes
Montageart:	SMD/SMT
Produkt-Typ:	DRAM
Verpackung ab Werk:	100
Unterkategorie:	Memory & Data Storage
Versorgungsstrom - Max.:	15 mA

Produkte gefunden:

Um ähnliche Produkte anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen aus

Um ähnliche Produkte in dieser Kategorie anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen oben aus.

Ausgewählte Attribute: 0

Dokument filtern:

Datenblatt

IS66WVR4M8ALL-104NLI Datenblatt (PDF)

Für diese Funktionalität ist die Aktivierung von JavaScript erforderlich.

CAHTS:: 8542320020
USHTS:: 8542320002
MXHTS:: 8542320299
ECCN:: 3A991.b.2.a

Pseudo SRAM/CellularRAM

ISSI Pseudo SRAM/CellularRAM Devices offer the best of both DRAM and SRAM features. ISSI PSRAM/CellularRAM has an SRAM-like architecture. Unlike DRAM, there is a hidden re-fresh feature that does not require a physical refresh. These CellularRAM devices are designed in accordance with the CellularRAM standards and are available in CRAM 1.5 and CRAM 2.0.