IS66WVE2M16EALL-70BLI

Name: ISSI IS66WVE2M16EALL-70BLI
Brand: ISSI
SKU: 870-E2M16EALL70BLI
Price: 5.56 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

870-E2M16EALL70BLI

Herst.- Nr.:

IS66WVE2M16EALL-70BLI

Herst.:

ISSI

Beschreibung:

SRAM 32Mb,Pseudo SRAM,Asynch/Page, 2M x 16,70ns,VDD 1.7V-1.95V, VDDQ 1.7V-1.95V,48 Ball BGA (6x8 mm), RoHS

Datenblatt:

IS66WVE2M16EALL-70BLI Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

Den kostenlosen Library Loader herunterladen, um diese Datei für Ihr ECAD Tool zu konvertieren. Weitere Infos zu ECAD-Modell.

Mehr über

Weitere Informationen zu ISSI IS66WVE2M16EALL-70BLI

Auf Lager: 310

Lagerbestand:: 310 sofort lieferbar

Ein unerwarteter Fehler ist aufgetreten. Bitte versuchen Sie es später noch einmal.
Lieferzeit ab Hersteller:: 14 Wochen Geschätzte Produktionszeit des Werks für Mengen, die größer als angezeigt sind.

Menge eingeben:

Minimum: 1 Vielfache: 1 Maximal: 200

Stückpreis:

-,-- €

Erw. Preis:

-,-- €

Vorauss. Zolltarif:

Preis (EUR)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
	5,56 €	5,56 €
	5,18 €	51,80 €
	5,02 €	125,50 €
	4,90 €	245,00 €
	4,79 €	479,00 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	ISSI
Produktkategorie:	SRAM
RoHS:
Speichergröße:	32 Mbit
Organisation:	2 M x 16
Zugangszeit:	70 ns
Schnittstellen-Typ:	Parallel
Versorgungsspannung - Max.:	1.95 V
Versorgungsspannung - Min.:	1.7 V
Versorgungsstrom - Max.:	30 mA
Minimale Betriebstemperatur:	- 40 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 85 C
Montageart:	SMD/SMT
Marke:	ISSI
Land der Bestückung:	Not Available
Land der Verbreitung:	Not Available
Ursprungsland:	TW
Feuchtigkeitsempfindlich:	Yes
Produkt-Typ:	SRAM
Serie:	IS66WVE2M16EALL
Verpackung ab Werk:	480
Unterkategorie:	Memory & Data Storage

Produkte gefunden:

Um ähnliche Produkte anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen aus

Um ähnliche Produkte in dieser Kategorie anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen oben aus.

Ausgewählte Attribute: 0

Dokument filtern:

Datenblatt

IS66WVE2M16EALL-70BLI Datenblatt (PDF)

Für diese Funktionalität ist die Aktivierung von JavaScript erforderlich.

TARIC:: 8542324500
CNHTS:: 8542319090
CAHTS:: 8542320041
USHTS:: 8542320041
JPHTS:: 854232029
KRHTS:: 8542321020
MXHTS:: 8542320201
ECCN:: EAR99

Pseudo SRAM/CellularRAM

ISSI Pseudo SRAM/CellularRAM Devices offer the best of both DRAM and SRAM features. ISSI PSRAM/CellularRAM has an SRAM-like architecture. Unlike DRAM, there is a hidden re-fresh feature that does not require a physical refresh. These CellularRAM devices are designed in accordance with the CellularRAM standards and are available in CRAM 1.5 and CRAM 2.0.