Scheinbar haben Sie Javascript in Ihrem Browser deaktiviert. Einige Funktionen auf dieser Seite funktionieren nur, wenn Sie sich anmelden.

Wird ein Fehler angezeigt?

IRF540ZPBF

Name: Infineon IRF540ZPBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: 942-IRF540ZPBF
Price: 0.59 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

942-IRF540ZPBF

Herst.- Nr.:

IRF540ZPBF

Herst.:

Infineon Technologies

Beschreibung:

MOSFETs MOSFT 100V 36A 26.5mOhm 42nC Qg

Datenblatt:

IRF540ZPBF Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

Den kostenlosen Library Loader herunterladen, um diese Datei für Ihr ECAD Tool zu konvertieren. Weitere Infos zu ECAD-Modell.

Mehr über

Weitere Informationen zu Infineon Technologies IRF540ZPBF

Auf Lager: 3.898

Lagerbestand:: 3.898

sofort lieferbar

Ein unerwarteter Fehler ist aufgetreten. Bitte versuchen Sie es später noch einmal.
Auf Bestellung:: 2.000

erwartet ab 18.03.2026

17.000

erwartet ab 02.04.2026
Lieferzeit ab Hersteller:: 17

Wochen Geschätzte Produktionszeit des Werks für Mengen, die größer als angezeigt sind.

Menge eingeben:

Minimum: 1 Vielfache: 1

Stückpreis:

-,-- €

Erw. Preis:

-,-- €

Vorauss. Zolltarif:

Preis (EUR)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
	0,593 €	0,59 €
	0,507 €	5,07 €
	0,472 €	47,20 €
	0,427 €	213,50 €
	0,387 €	387,00 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Infineon
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	Through Hole
Verpackung/Gehäuse:	TO-220-3
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	100 V
Id - Drain-Gleichstrom:	36 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	26.5 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	2 V
Qg - Gate-Ladung:	42 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Pd - Verlustleistung:	92 W
Kanalmodus:	Enhancement
Verpackung:	Tube
Marke:	Infineon Technologies
Konfiguration:	Single
Produkt-Typ:	MOSFETs
Verpackung ab Werk:	1000
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channel
Gewicht pro Stück:	2 g

Produkte gefunden:

Um ähnliche Produkte anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen aus

Um ähnliche Produkte in dieser Kategorie anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen oben aus.

Ausgewählte Attribute: 0

Dokument filtern:

Datenblatt

IRF540ZPBF Datenblatt (PDF)

Models

Product Catalogs

SPICE Models

Spice Model - IRF540Z

Für diese Funktionalität ist die Aktivierung von JavaScript erforderlich.

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

IRF540N/Z Advanced HEXFET® Leistungs-MOSFETs

Die IRF540N/Z Advanced HEXFET® Leistungs-MOSFETs von International Rectifier nutzen modernste Verarbeitungstechnologien, um einen extrem geringen On-Widerstand pro Siliziumbereich zu erreichen. Dieser Vorteil zusammen mit der schnellen Schaltgeschwindigkeit und dem robusten Gerätedesign und der Sperrschichtbetriebstemperaturen von 175°, für die die HEXFET® Leistungs-MOSFETs bekannt sind, bieten dem Konstrukteur ein hochwirksames und verlässliches Gerät für eine Vielzahl von Anwendungen.
Weitere Informationen