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IPW95R060PFD7XKSA1

Name: Infineon IPW95R060PFD7XKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IPW95R060PFD7XKS
Price: 10.54 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

726-IPW95R060PFD7XKS

Herst.- Nr.:

IPW95R060PFD7XKSA1

Herst.:

Infineon Technologies

Beschreibung:

MOSFETs HIGH POWER_NEW

Datenblatt:

IPW95R060PFD7XKSA1 Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

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Hersteller:	Infineon
Produktkategorie:	MOSFETs
Technologie:	Si
Montageart:	Through Hole
Verpackung/Gehäuse:	TO-247-3
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	950 V
Id - Drain-Gleichstrom:	74.7 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	60 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 30 V, 30 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	3.5 V
Qg - Gate-Ladung:	315 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	446 W
Kanalmodus:	Enhancement
Verpackung:	Tube
Marke:	Infineon Technologies
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	7.1 ns
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	25 ns
Verpackung ab Werk:	240
Unterkategorie:	Transistors
Regelabschaltverzögerungszeit:	248 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	48 ns
Artikel # Aliases:	IPW95R060PFD7 SP005547003

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Datenblatt

IPW95R060PFD7XKSA1 Datenblatt (PDF)

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JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

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Infineon Technologies CoolMOS™ PFD7 950-V-SJ-MOSFETs bieten Superjunction-Technologien (SJ). Die SJ-Technologie eignet sich durch die Integration einer erstklassigen Leistungsfähigkeit mit modernster Benutzerfreundlichkeit hervorragend für Beleuchtungs- und Industrie-SNT-Applikationen. Die PFDJ bietet eine integrierte ultraschnelle Body-Diode, die den Einsatz in Resonanztopologien mit der geringsten Sperrverzögerungsladung (Qrr) ermöglicht.