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IPB95R310PFD7ATMA1

Name: Infineon IPB95R310PFD7ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IPB95R310PFD7ATM
Price: 2.98 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

726-IPB95R310PFD7ATM

Herst.- Nr.:

IPB95R310PFD7ATMA1

Herst.:

Infineon Technologies

Beschreibung:

MOSFETs LOW POWER_NEW

Datenblatt:

IPB95R310PFD7ATMA1 Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

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	1,94 €	19,40 €
	1,37 €	137,00 €
	1,19 €	595,00 €
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 1000)
	1,01 €	1.010,00 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Infineon
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	D2PAK-3 (TO-263-3)
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	950 V
Id - Drain-Gleichstrom:	17.5 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	310 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 30 V, 30 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	3.5 V
Qg - Gate-Ladung:	61 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	125 W
Kanalmodus:	Enhancement
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Marke:	Infineon Technologies
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	4 ns
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	10 ns
Verpackung ab Werk:	1000
Unterkategorie:	Transistors
Regelabschaltverzögerungszeit:	61 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	13 ns
Artikel # Aliases:	SP005547008

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Datenblatt

IPB95R310PFD7ATMA1 Datenblatt (PDF)

ROHS Declaration of Compliance (PDF)

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

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