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IMBG65R083M1HXTMA1

Name: Infineon IMBG65R083M1HXTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IMBG65R083M1HXTM
Price: 5.5 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

726-IMBG65R083M1HXTM

Herst.- Nr.:

IMBG65R083M1HXTMA1

Herst.:

Infineon Technologies

Beschreibung:

SiC-MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET

Datenblatt:

IMBG65R083M1HXTMA1 Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

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Cut-Tape

MouseReel™ (+5,00 €)

Preis (EUR)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	5,50 €	5,50 €
	3,48 €	34,80 €
	2,88 €	288,00 €
	2,86 €	1.430,00 €
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 1000)
	2,43 €	2.430,00 €

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von 5,00 € hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Infineon
Produktkategorie:	SiC-MOSFETs
RoHS:
Montageart:	SMD/SMT
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	650 V
Id - Drain-Gleichstrom:	28 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	111 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 5 V, + 23 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	5.7 V
Qg - Gate-Ladung:	44 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Pd - Verlustleistung:	126 W
Kanalmodus:	Enhancement
Handelsname:	CoolSiC
Marke:	Infineon Technologies
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Produkt:	MOSFETs
Produkt-Typ:	SiC MOSFETS
Serie:	CoolSiC 650V
Verpackung ab Werk:	1000
Unterkategorie:	Transistors
Technologie:	SiC
Artikel # Aliases:	IMBG65R083M1H SP005539181

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TARIC:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

CoolSiC™ MOSFETs 650 V

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