Scheinbar haben Sie Javascript in Ihrem Browser deaktiviert. Einige Funktionen auf dieser Seite funktionieren nur, wenn Sie sich anmelden.

Wird ein Fehler angezeigt?

IGI65D1414A3MSXUMA1

Name: Infineon IGI65D1414A3MSXUMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IGI65D1414A3MSXU
Price: 6.1 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

726-IGI65D1414A3MSXU

Herst.- Nr.:

IGI65D1414A3MSXUMA1

Herst.:

Infineon Technologies

Beschreibung:

GaN FETs Two 140 mohm / 650 V GaN transistors in half-bridge configuration

Lebenszyklus:

Neues Produkt:

Neu von diesem Hersteller.

Datenblatt:

IGI65D1414A3MSXUMA1 Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

Den kostenlosen Library Loader herunterladen, um diese Datei für Ihr ECAD Tool zu konvertieren. Weitere Infos zu ECAD-Modell.

Auf Lager: 2.392

Lagerbestand:: 2.392 sofort lieferbar

Ein unerwarteter Fehler ist aufgetreten. Bitte versuchen Sie es später noch einmal.
Lieferzeit ab Hersteller:: 18 Wochen Geschätzte Produktionszeit des Werks für Mengen, die größer als angezeigt sind.

Menge eingeben:

Minimum: 1 Vielfache: 1

Stückpreis:

-,-- €

Erw. Preis:

-,-- €

Vorauss. Zolltarif:

Preis (EUR)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
	6,10 €	6,10 €
	4,12 €	41,20 €
	3,07 €	307,00 €
	2,78 €	2.780,00 €
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 3000)
	2,61 €	7.830,00 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Infineon
Produktkategorie:	GaN FETs
RoHS:
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	QFN-32
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	2 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	650 V
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	170 mOhms
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	1.6 V
Qg - Gate-Ladung:	1.8 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Marke:	Infineon Technologies
Konfiguration:	Dual
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Produkt:	Transistors
Produkt-Typ:	GaN FETs
Verpackung ab Werk:	3000
Unterkategorie:	Transistors
Technologie:	GaN
Transistorart:	2 N-Channel
Artikel # Aliases:	IGI65D1414A3MS SP005970004

Produkte gefunden:

Um ähnliche Produkte anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen aus

Um ähnliche Produkte in dieser Kategorie anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen oben aus.

Ausgewählte Attribute: 0

Dokument filtern:

Datenblatt

IGI65D1414A3MSXUMA1 Datenblatt (PDF)

USHTS:: 8542390090
MXHTS:: 8542399999
ECCN:: EAR99

CoolGaN™ 650 V G5-Transistoren

Die CoolGaN™ 650 V G5-Transistoren von Infineon Technologies verfügen über eine hocheffiziente Galliumnitrid (GaN)-Transistortechnologie für die Leistungsumwandlung. Die Produktfamilie 650 V G5 eignet sich für Anwendungen in den Bereichen Verbraucher, Rechenzentren, Industrie und Solar. Die Transistoren bieten eine verbesserte Systemeffizienz und Leistungsdichte mit extrem schneller Schaltfähigkeit. Die CoolGaN-Technologie bietet diskrete und integrierte Lösungen, die die Gesamtleistung des Systems verbessern. Die Transistoren der Baureihe CoolGaN 650 V G5 von Infineon Technologies ermöglichen hohe Betriebsfrequenzen und reduzieren die EMI-Werte. Diese Transistoren sind ideal für die Stromverteilung, Schaltnetzteile (SMPS), Telekommunikation und andere industrielle Anwendungen.