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HT8MD5HTB1

Name: ROHM Semiconductor HT8MD5HTB1
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-HT8MD5HTB1
Price: 1.67 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

755-HT8MD5HTB1

Herst.- Nr.:

HT8MD5HTB1

Herst.:

ROHM Semiconductor

Beschreibung:

MOSFETs HSMT8 NPCH 80V 3.5A

Lebenszyklus:

Neues Produkt:

Neu von diesem Hersteller.

Datenblatt:

HT8MD5HTB1 Datenblatt

ECAD Model:

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	1,67 €	1,67 €
	1,07 €	10,70 €
	0,735 €	73,50 €
	0,624 €	312,00 €
	0,544 €	544,00 €
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 3000)
	0,462 €	1.386,00 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

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Hersteller:	ROHM Semiconductor
Produktkategorie:	MOSFETs
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	HSMT-8
Transistorpolung:	N-Channel, P-Channel
Anzahl der Kanäle:	2 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	80 V, 80 V
Id - Drain-Gleichstrom:	9 A, 8.5 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	112 mOhms, 191 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	20 V, 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	4 V, 4 V
Qg - Gate-Ladung:	3.1 nC, 17.2 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	13 W
Kanalmodus:	Enhancement
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Marke:	ROHM Semiconductor
Konfiguration:	Dual
Abfallzeit:	4.6 ns, 33 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	1.8 S, 3 S
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	5 ns, 7 ns
Verpackung ab Werk:	3000
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channel, 1 P-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	12 ns, 74 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	5.8 ns, 9.4 ns

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TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Kleinsignal- Zweikanal -MOSFETs

ROHM Semiconductor Klein-Signal-Zweikanal MOSFETs zeichnen sich durch geringen Einschaltwiderstand und schnelles Schalten aus. Diese MOSFETs sind RoHs-konform und verfügen über eine bleifreie Beschichtung. Die Zweikanal-MOSFETs arbeiten in einem Temperaturbereich von -55°°C bis 150 °°C. Diese MOSFETs werden in Motorantrieben und Applikationen verwendet.