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H5200NLT

Name: Pulse H5200NLT
Brand: Pulse Electronics
SKU: 673-H5200NLT
Price: 8.08 EUR
Availability: OutOfStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

673-H5200NLT

Herst.- Nr.:

H5200NLT

Herst.:

Pulse Electronics

Beschreibung:

Audio-Transformatoren / Signal-Transformatoren MDL, DUAL,1GD, 1:1 BGA SMD T&R

Datenblatt:

H5200NLT Datenblatt

ECAD Model:

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Herst. Teilenr.:

H5200NL

Verpackung:

Tray

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Preis:

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Min:

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Hersteller:	Pulse
Produktkategorie:	Audio-Transformatoren / Signal-Transformatoren
RoHS:
Produkt:	LAN Transformers
Typ:	Module
Montage:	SMD/SMT
Frequenzbereich:	1 MHz to 125 MHz
Induktivität:	350 uH
Isolierungsspannung:	1.5 kV
Minimale Betriebstemperatur:	0 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 70 C
Anzahl der Kanäle:	2 Channel
Anwendung:	1000 Base-T
Verpackung/Gehäuse:	BGA
Länge:	14.73 mm
Breite:	17.27 mm
Höhe:	11.18 mm
Serie:	H5200NLT
Verpackung:	Reel
Marke:	Pulse Electronics
Nennstrom:	8 mA
Maximaler DC-Widerstand:	650 mOhms
Produkt-Typ:	Audio & Signal Transformers
Abschirmung:	Unshielded
Verpackung ab Werk:	170
Unterkategorie:	Transformers

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Datenblatt

H5200NLT Datenblatt

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TARIC:: 8504312990
USHTS:: 8517790000
ECCN:: EAR99

1 Gigabit PoE-/PoE+-SMD-Transformatoren mit hoher Dichte

Die 1 Gigabit PoE-/PoE+-SMD-Transformatoren mit hoher Dichte von Pulse Electronics bieten weniger als 140 mm²/Anschlussdichte und verfügen über ein zuverlässiges oberflächenmontierbares Ball-Grid-Array (BGA). Diese Transformatoren unterstützen 4-Paar PoE+ (70 W) DC-Leistung und sind so konzipiert, dass sie hinter 2xN-Anschlüsse passen. Die 1 Gigabit PoE-/PoE+-SMD-Transformatoren bieten eine 10/100/1000base-T-Konnektivität und eine modulare Bauweise, die IEEE802.3u/ab übersteigt. Diese Transformatoren arbeiten über einen Temperaturbereich von -40 °C bis 85 °C.