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GE12MPS06A

Name: Navitas Semiconductor GE12MPS06A
Brand: GeneSiC Semiconductor
SKU: 905-GE12MPS06A
Price: 1.9 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

905-GE12MPS06A

Herst.- Nr.:

GE12MPS06A

Herst.:

GeneSiC Semiconductor

Beschreibung:

SiC Schottky Dioden 650V 12A TO-220-2 SiC Schottky MPS

Lebenszyklus:

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Datenblatt:

GE12MPS06A Datenblatt (PDF)

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Hersteller:	Navitas Semiconductor
Produktkategorie:	SiC Schottky Dioden
RoHS:
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	TO-220-2
Konfiguration:	Single
If - Durchlassstrom:	12 A
Vrrm - Periodische Sperrspannung:	650 V
Serie:	SiC Schottky MPS
Verpackung:	Tube
Marke:	GeneSiC Semiconductor
Produkt-Typ:	SiC Schottky Diodes
Verpackung ab Werk:	50
Unterkategorie:	Diodes & Rectifiers
Vr - Sperrspannung:	650 V

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TARIC:: 8541100000
CAHTS:: 8541100090
USHTS:: 8541100080
ECCN:: EAR99

650V, 1200V, & 1700V SiC Schottky MPS™ Diodes

GeneSiC Semiconductor 650V, 1200V, and 1700V SiC Schottky MPS™ Diodes provide low standby power losses and improved circuit efficiency. The 650V SiC Diodes have a forward current range of 6A to 20A. The 1200V SiC Diodes have a forward current range of 1A to 200A. The 1700V SiC Diodes have a forward current range of 5A to 50A.

650V SiC Schottky MPS™ Diodes

GeneSiC Semiconductor 650V SiC Schottky MPS™ Diodes combine excellent forward and switching characteristics with best-in-class surge current robustness and thermal conductivity. These diodes operate at 175°C maximum operating temperature and show temperature-independent switching behavior. The 650V SiC Schottky diodes feature superior Avalanche (UIS) capability and low device capacitance. One key advantage of these diodes is the ease of paralleling devices without thermal runaway. Typical applications include SMPS, EVs, motor drives, LED and HID lighting, medical imaging systems, high voltage sensing, induction heating and welding, and pulsed power.