Scheinbar haben Sie Javascript in Ihrem Browser deaktiviert. Einige Funktionen auf dieser Seite funktionieren nur, wenn Sie sich anmelden.

Wird ein Fehler angezeigt?

GE04MPS06A

Name: Navitas Semiconductor GE04MPS06A
Brand: GeneSiC Semiconductor
SKU: 905-GE04MPS06A
Price: 1.66 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

905-GE04MPS06A

Herst.- Nr.:

GE04MPS06A

Herst.:

GeneSiC Semiconductor

Beschreibung:

SiC Schottky Dioden 650V 4A TO-220-2 SiC Schottky MPS

Lebenszyklus:

Neues Produkt:

Neu von diesem Hersteller.

ECAD Model:

Den kostenlosen Library Loader herunterladen, um diese Datei für Ihr ECAD Tool zu konvertieren. Weitere Infos zu ECAD-Modell.

Mehr über

Weitere Informationen zu GeneSiC Semiconductor GE04MPS06A

Auf Lager: 2.075

Lagerbestand:: 2.075 sofort lieferbar

Ein unerwarteter Fehler ist aufgetreten. Bitte versuchen Sie es später noch einmal.
Lieferzeit ab Hersteller:: 16 Wochen Geschätzte Produktionszeit des Werks für Mengen, die größer als angezeigt sind.

Menge eingeben:

Minimum: 1 Vielfache: 1

Stückpreis:

-,-- €

Erw. Preis:

-,-- €

Vorauss. Zolltarif:

Preis (EUR)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
	1,66 €	1,66 €
	1,44 €	14,40 €
	1,37 €	34,25 €
	1,26 €	126,00 €
	1,19 €	297,50 €
	1,14 €	570,00 €
	1,09 €	1.090,00 €
	1,03 €	2.575,00 €
	0,998 €	4.990,00 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Navitas Semiconductor
Produktkategorie:	SiC Schottky Dioden
RoHS:
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	TO-220-2
Konfiguration:	Single
If - Durchlassstrom:	4 A
Vrrm - Periodische Sperrspannung:	650 V
Vf - Durchlassspannung:	1.25 V
Ifsm - Durchlass-Stoßstrom:	22 A
Ir - Sperrstrom:	1 uA
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Serie:	SiC Schottky MPS
Verpackung:	Tube
Marke:	GeneSiC Semiconductor
Pd - Verlustleistung:	55 W
Produkt-Typ:	SiC Schottky Diodes
Verpackung ab Werk:	50
Unterkategorie:	Diodes & Rectifiers
Vr - Sperrspannung:	650 V
Artikel # Aliases:	GEXXMPS06X
Gewicht pro Stück:	2 g

Produkte gefunden:

Um ähnliche Produkte anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen aus

Um ähnliche Produkte in dieser Kategorie anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen oben aus.

Ausgewählte Attribute: 0

Für diese Funktionalität ist die Aktivierung von JavaScript erforderlich.

USHTS:: 8541100080
ECCN:: EAR99

650V, 1200V, & 1700V SiC Schottky MPS™ Diodes

GeneSiC Semiconductor 650V, 1200V, and 1700V SiC Schottky MPS™ Diodes provide low standby power losses and improved circuit efficiency. The 650V SiC Diodes have a forward current range of 6A to 20A. The 1200V SiC Diodes have a forward current range of 1A to 200A. The 1700V SiC Diodes have a forward current range of 5A to 50A.

650V SiC Schottky MPS™ Diodes

GeneSiC Semiconductor 650V SiC Schottky MPS™ Diodes combine excellent forward and switching characteristics with robustness and thermal conductivity. The 650V diodes feature superior system ruggedness, zero recovery losses, and smaller heat sink requirements. These diodes enable extremely fast switching, reduced cooling requirements, zero reverse recovery current, and increased system power density. GeneSiC Semiconductor 650V SiC Schottky MPS Diodes are ideal for ease of paralleling without thermal runaway. The diodes are available in a variety of packages, including TO-220, TO-247, and SOT-227.