Scheinbar haben Sie Javascript in Ihrem Browser deaktiviert. Einige Funktionen auf dieser Seite funktionieren nur, wenn Sie sich anmelden.

Zurück zu Suchergebnissen

Wird ein Fehler angezeigt?

GCMX040A120B3H1P

Name: SemiQ GCMX040A120B3H1P
Brand: SemiQ
SKU: 148-GCMX040A120B3H1P
Price: 49.61 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

148-GCMX040A120B3H1P

Herst.- Nr.:

GCMX040A120B3H1P

Herst.:

SemiQ

Beschreibung:

MOSFET-Module SiC 1200V 40mohm MOSFET Full-Bridge Module

Datenblatt:

GCMX040A120B3H1P Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

Den kostenlosen Library Loader herunterladen, um diese Datei für Ihr ECAD Tool zu konvertieren. Weitere Infos zu ECAD-Modell.

Mehr über

Weitere Informationen zu SemiQ GCMX040A120B3H1P

Auf Lager: 31

Lagerbestand:: 31 sofort lieferbar

Ein unerwarteter Fehler ist aufgetreten. Bitte versuchen Sie es später noch einmal.
Lieferzeit ab Hersteller:: 2 Wochen Geschätzte Produktionszeit des Werks für Mengen, die größer als angezeigt sind.

Menge eingeben:

Minimum: 1 Vielfache: 1

Stückpreis:

-,-- €

Erw. Preis:

-,-- €

Vorauss. Zolltarif:

Preis (EUR)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
	49,61 €	49,61 €
	39,47 €	394,70 €
	36,51 €	3.651,00 €
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 40)
	39,47 €	1.578,80 €
500	Kostenvoranschlag

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	SemiQ
Produktkategorie:	MOSFET-Module
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	SiC
Montageart:	Press Fit
Transistorpolung:	N-Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	1.2 kV
Id - Drain-Gleichstrom:	53 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	38 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 5 V, + 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	1.8 V
Minimale Betriebstemperatur:	- 40 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Pd - Verlustleistung:	208 W
Serie:	GCMX
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Marke:	SemiQ
Abfallzeit:	12 ns
Produkt-Typ:	MOSFET Modules
Anstiegszeit:	6 ns
Verpackung ab Werk:	40
Unterkategorie:	Discrete and Power Modules
Typ:	Full Bridge
Regelabschaltverzögerungszeit:	25 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	16 ns

Produkte gefunden:

Um ähnliche Produkte anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen aus

Um ähnliche Produkte in dieser Kategorie anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen oben aus.

Ausgewählte Attribute: 0

Dokument filtern:

Datenblatt

GCMX040A120B3H1P Datenblatt (PDF)

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

GCMX 1.200 V SiC-MOSFET-Vollbrückenmodule

SemiQ GCMX 1.200-V-SiC-MOSFET-Vollbrückenmodule bieten geringe Schaltverluste, einen niedrigen thermischen Sperrschicht-zu-Gehäuse-Widerstand und eine sehr robuste und einfache Montage. Diese Module montieren den Kühlkörper direkt (isoliertes Gehäuse) und enthalten eine Kelvin-Referenz für einen stabilen Betrieb. Alle Teile wurden strengen Tests unterzogen, um Spannungen über 1.350 V zu widerstehen. Das charakteristische Merkmal dieser Module ist die robuste 1.200-V-Drain-Source-Spannung. Die GCMX Vollbrückenmodule werden bei einer Sperrschichttemperatur von 175°C betrieben und sind RoHS-konform. Zu den typischen Applikationen gehören Photovoltaik-Wechselrichter, Akkuladegeräte, Energiespeichersysteme und Hochspannungs-DC/DC-Wandler.