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GCMX020A120B2B1P

Name: SemiQ GCMX020A120B2B1P
Brand: SemiQ
SKU: 148-GCMX020A120B2B1P
Price: 47.13 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

148-GCMX020A120B2B1P

Herst.- Nr.:

GCMX020A120B2B1P

Herst.:

SemiQ

Beschreibung:

MOSFET-Module SiC 1200V 20mohm MOSFET Half-Bridge Module

Datenblatt:

GCMX020A120B2B1P Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

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	37,44 €	374,40 €
	34,58 €	3.458,00 €
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	37,44 €	1.497,60 €
500	Kostenvoranschlag

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	SemiQ
Produktkategorie:	MOSFET-Module
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	SiC
Montageart:	Screw Mount
Transistorpolung:	N-Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	1.2 kV
Id - Drain-Gleichstrom:	102 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	19 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 5 V, + 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	1.8 V
Minimale Betriebstemperatur:	- 40 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Pd - Verlustleistung:	385 W
Serie:	GCMX
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Marke:	SemiQ
Abfallzeit:	16 ns
Produkt-Typ:	MOSFET Modules
Anstiegszeit:	8 ns
Verpackung ab Werk:	40
Unterkategorie:	Discrete and Power Modules
Typ:	Half-Bridge
Regelabschaltverzögerungszeit:	42 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	22 ns

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Datenblatt

GCMX020A120B2B1P Datenblatt (PDF)

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8504409100
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

GCMX 1.200-V-SiC-MOSFET-Halbbrückenmodule

Die GCMX 1.200-V-SiC-MOSFET-Halbbrückenmodule von SemiQ bieten geringe Schaltverluste, einen niedrigen thermischen Sperrschicht-zu-Gehäuse-Widerstand und eine sehr robuste und einfache Montage. Diese Module montieren den Kühlkörper direkt (isoliertes Gehäuse) und enthalten eine Kelvin-Referenz für einen stabilen Betrieb. Alle Teile wurden strengen Tests unterzogen, um Spannungen über 1.350 V zu widerstehen. Die herausragende Funktion dieser Module ist die robuste 1.200-V-Drain-Source-Spannung. Die GCMX Halbbrückenmodule werden bei einer Sperrschichttemperatur von 175°C betrieben und sind RoHS-konform. Zu den typischen Applikationen gehören Photovoltaik-Wechselrichter, Akkuladegeräte, Energiespeichersysteme und Hochspannungs-DC/DC-Wandler.