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GCMX010A120B2B1P

Name: SemiQ GCMX010A120B2B1P
Brand: SemiQ
SKU: 148-GCMX010A120B2B1P
Price: 56.28 EUR
Availability: OutOfStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

148-GCMX010A120B2B1P

Herst.- Nr.:

GCMX010A120B2B1P

Herst.:

SemiQ

Beschreibung:

MOSFET-Module SiC 1200V 10mohm MOSFET Half-Bridge Module

Datenblatt:

GCMX010A120B2B1P Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

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Hersteller:	SemiQ
Produktkategorie:	MOSFET-Module
RoHS:
Technologie:	SiC
Montageart:	Screw Mount
Transistorpolung:	N-Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	1.2 kV
Id - Drain-Gleichstrom:	214 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	9 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 5 V, + 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	1.8 V
Minimale Betriebstemperatur:	- 40 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Serie:	GCMX
Verpackung:	Reel
Marke:	SemiQ
Abfallzeit:	22 ns
Produkt-Typ:	MOSFET Modules
Anstiegszeit:	13 ns
Verpackung ab Werk:	40
Unterkategorie:	Discrete and Power Modules
Typ:	Half-Bridge
Regelabschaltverzögerungszeit:	75 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	40 ns

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Datenblatt

GCMX010A120B2B1P Datenblatt (PDF)

USHTS:: 8541100080
ECCN:: EAR99

GCMX 1.200-V-SiC-MOSFET-Halbbrückenmodule

Die GCMX 1.200-V-SiC-MOSFET-Halbbrückenmodule von SemiQ bieten geringe Schaltverluste, einen niedrigen thermischen Sperrschicht-zu-Gehäuse-Widerstand und eine sehr robuste und einfache Montage. Diese Module montieren den Kühlkörper direkt (isoliertes Gehäuse) und enthalten eine Kelvin-Referenz für einen stabilen Betrieb. Alle Teile wurden strengen Tests unterzogen, um Spannungen über 1.350 V zu widerstehen. Die herausragende Funktion dieser Module ist die robuste 1.200-V-Drain-Source-Spannung. Die GCMX Halbbrückenmodule werden bei einer Sperrschichttemperatur von 175°C betrieben und sind RoHS-konform. Zu den typischen Applikationen gehören Photovoltaik-Wechselrichter, Akkuladegeräte, Energiespeichersysteme und Hochspannungs-DC/DC-Wandler.