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GCMX005A120S3B1-N

Name: SemiQ GCMX005A120S3B1-N
Brand: SemiQ
SKU: 148-GCMX005A120S3B1N
Price: 175.62 EUR
Availability: OutOfStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

148-GCMX005A120S3B1N

Herst.- Nr.:

GCMX005A120S3B1-N

Herst.:

SemiQ

Beschreibung:

MOSFET-Module 1200V, 5mohm SiC MOSFET Half Bridge Module

Lebenszyklus:

Neues Produkt:

Neu von diesem Hersteller.

Datenblatt:

GCMX005A120S3B1-N Datenblatt (PDF)

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	175,62 €	175,62 €
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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	SemiQ
Produktkategorie:	MOSFET-Module
RoHS:
Technologie:	SiC
Montageart:	Screw Mount
Verpackung/Gehäuse:	S3
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	2 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	1.2 kV
Id - Drain-Gleichstrom:	424 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	7 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 5 V, + 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	4 V
Minimale Betriebstemperatur:	- 40 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	1.531 kW
Serie:	GCMX
Verpackung:	Bulk
Marke:	SemiQ
Abfallzeit:	24 ns
Höhe:	30.9 mm
Länge:	106.4 mm
Produkt:	Modules
Produkt-Typ:	MOSFET Modules
Anstiegszeit:	18 ns
Verpackung ab Werk:	15
Unterkategorie:	Discrete and Power Modules
Typ:	Half Bridge Module
Regelabschaltverzögerungszeit:	114 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	65 ns
Vf - Durchlassspannung:	4 V
Breite:	61.4 mm

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Datenblatt

GCMX005A120S3B1-N Datenblatt (PDF)

USHTS:: 8541100080
ECCN:: EAR99

GCMX 1.200-V-SiC-MOSFET-Halbbrückenmodule

Die GCMX 1.200-V-SiC-MOSFET-Halbbrückenmodule von SemiQ bieten geringe Schaltverluste, einen niedrigen thermischen Sperrschicht-zu-Gehäuse-Widerstand und eine sehr robuste und einfache Montage. Diese Module montieren den Kühlkörper direkt (isoliertes Gehäuse) und enthalten eine Kelvin-Referenz für einen stabilen Betrieb. Alle Teile wurden strengen Tests unterzogen, um Spannungen über 1.350 V zu widerstehen. Die herausragende Funktion dieser Module ist die robuste 1.200-V-Drain-Source-Spannung. Die GCMX Halbbrückenmodule werden bei einer Sperrschichttemperatur von 175°C betrieben und sind RoHS-konform. Zu den typischen Applikationen gehören Photovoltaik-Wechselrichter, Akkuladegeräte, Energiespeichersysteme und Hochspannungs-DC/DC-Wandler.

GCMX005A120S3B1-N QSiC™ MOSFET

SemiQ GCMX005A120S3B1-N QSiC™ MOSFET offers enhanced design flexibility and performance in current applications. The QSiC MOSFET operates with near-zero switching loss, increasing efficiency while reducing heat dissipation and the need for large heatsinks. Standing at 26.3mm in height with an industry-standard 62mm footprint, this module addresses the size, weight, and power demands of challenging applications. SemiQ GCMX005A120S3B1-N QSiC MOSFET features a 400A current rating and is suitable for induction heaters, welding equipment, and uninterruptible power supplies (UPS).