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GCMX003A120S3B1-N

Name: SemiQ GCMX003A120S3B1-N
Brand: SemiQ
SKU: 148-GCMX003A120S3B1N
Price: 205.31 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

148-GCMX003A120S3B1N

Herst.- Nr.:

GCMX003A120S3B1-N

Herst.:

SemiQ

Beschreibung:

MOSFET-Module 1200V, 3mohm, 625A SiC MOSFET Half Bridge Module

Lebenszyklus:

Neues Produkt:

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Datenblatt:

GCMX003A120S3B1-N Datenblatt (PDF)

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Hersteller:	SemiQ
Produktkategorie:	MOSFET-Module
RoHS:
Technologie:	SiC
Montageart:	Screw Mount
Verpackung/Gehäuse:	S3
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	2 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	1.2 kV
Id - Drain-Gleichstrom:	625 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	5.5 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 5 V, + 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	4 V
Minimale Betriebstemperatur:	- 40 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	2.113 kW
Serie:	GCMX
Verpackung:	Bulk
Marke:	SemiQ
Land der Bestückung:	US
Land der Verbreitung:	Not Available
Ursprungsland:	US
Abfallzeit:	28 ns
Höhe:	30 mm
Länge:	106.4 mm
Produkt:	Modules
Produkt-Typ:	MOSFET Modules
Anstiegszeit:	21 n
Verpackung ab Werk:	15
Unterkategorie:	Discrete and Power Modules
Typ:	Half Bidge Module
Regelabschaltverzögerungszeit:	138 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	79 ns
Vf - Durchlassspannung:	4 V
Breite:	61.4 mm

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Datenblatt

GCMX003A120S3B1-N Datenblatt (PDF)

TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

GCMX 1.200-V-SiC-MOSFET-Halbbrückenmodule

Die GCMX 1.200-V-SiC-MOSFET-Halbbrückenmodule von SemiQ bieten geringe Schaltverluste, einen niedrigen thermischen Sperrschicht-zu-Gehäuse-Widerstand und eine sehr robuste und einfache Montage. Diese Module montieren den Kühlkörper direkt (isoliertes Gehäuse) und enthalten eine Kelvin-Referenz für einen stabilen Betrieb. Alle Teile wurden strengen Tests unterzogen, um Spannungen über 1.350 V zu widerstehen. Die herausragende Funktion dieser Module ist die robuste 1.200-V-Drain-Source-Spannung. Die GCMX Halbbrückenmodule werden bei einer Sperrschichttemperatur von 175°C betrieben und sind RoHS-konform. Zu den typischen Applikationen gehören Photovoltaik-Wechselrichter, Akkuladegeräte, Energiespeichersysteme und Hochspannungs-DC/DC-Wandler.