GCMS020B120S1-E1

Name: SemiQ GCMS020B120S1-E1
Brand: SemiQ
SKU: 148-GCMS020B120S1-E1
Price: 32.68 EUR
Availability: OutOfStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

148-GCMS020B120S1-E1

Herst.- Nr.:

GCMS020B120S1-E1

Herst.:

SemiQ

Beschreibung:

Diskrete Halbleitermodule SiC 1200V 20mohm MOSFET & 50A SBD SOT-227

Datenblatt:

GCMS020B120S1-E1 Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

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Hersteller:	SemiQ
Produktkategorie:	Diskrete Halbleitermodule
RoHS:
Produkt:	MOSFET-SiC SBD Modules
Typ:	Silicon Carbide (SiC) Module
Technologie:	SiC
Vf - Durchlassspannung:	1.49 V
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 5 V, + 10 V
Montageart:	Screw Mount
Verpackung/Gehäuse:	SOT-227-4
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Serie:	GCMS
Verpackung:	Tube
Marke:	SemiQ
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	25 ns
Id - Drain-Gleichstrom:	113 A
Pd - Verlustleistung:	395 W
Produkt-Typ:	Discrete Semiconductor Modules
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	28 mOhms
Anstiegszeit:	8 ns
Verpackung ab Werk:	30
Unterkategorie:	Discrete Semiconductor Modules
Transistorpolung:	N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	46 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	25 ns
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	1.2 kV
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	4 V

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Datenblatt

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USHTS:: 8541100080
ECCN:: EAR99

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