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FFSP1265A

Name: onsemi FFSP1265A
Brand: onsemi
SKU: 863-FFSP1265A
Price: 3.57 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

863-FFSP1265A

Herst.- Nr.:

FFSP1265A

Herst.:

onsemi

Beschreibung:

SiC Schottky Dioden 650V 12A SIC SBD

Datenblatt:

FFSP1265A Datenblatt

ECAD Model:

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	2,02 €	202,00 €
	1,76 €	880,00 €

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Hersteller:	onsemi
Produktkategorie:	SiC Schottky Dioden
RoHS:
Montageart:	Through Hole
Verpackung/Gehäuse:	TO-220-2
Konfiguration:	Single
If - Durchlassstrom:	12 A
Vrrm - Periodische Sperrspannung:	650 V
Vf - Durchlassspannung:	1.5 V
Ifsm - Durchlass-Stoßstrom:	70 A
Ir - Sperrstrom:	200 uA
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Serie:	FFSP1265A
Verpackung:	Tube
Marke:	onsemi
Pd - Verlustleistung:	115 W
Produkt-Typ:	SiC Schottky Diodes
Verpackung ab Werk:	50
Unterkategorie:	Diodes & Rectifiers
Handelsname:	EliteSiC
Vr - Sperrspannung:	650 V
Gewicht pro Stück:	2 g

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Datenblatt

FFSP1265A Datenblatt

PCN

CNHTS:: 8541100000
CAHTS:: 8541100090
USHTS:: 8541100080
JPHTS:: 854110090
MXHTS:: 8541100101
ECCN:: EAR99

FFSP SiC-Schottky-Dioden

onsemi FFSP SiC-Schottky-Dioden (Siliziumkarbid) nutzen die Vorteile von Siliziumkarbid-Bauteilen gegenüber Nur-Silizium-(Si)-Bauteilen in vollem Umfang und bieten eine erheblich höhere Überstromfestigkeit, einen geringeren Rest-Sperrstrom und keinen Sperrverzögerungsstrom. Diese SiC-Schottky-Dioden verfügen außerdem über temperaturunabhängige Schalteigenschaften und eine hervorragende thermische Leistungsfähigkeit. Dies führt zu einem verbesserten System-Wirkungsgrad, schnellerer Betriebsfrequenz, erhöhter Leistungsdichte, reduzierter EMI, kleinerer Systemgröße und niedrigeren Kosten.

Breitbandlücken-SiC-Bauteile

Die Breitbandlücken-Siliziumkarbid-Bauteile von onsemi enthalten eine völlig neue Technologie, die im Vergleich zu Silizium eine überlegene Schaltleistung und eine höhere Zuverlässigkeit bietet. Die Vorteile für das System sind ein verbesserter System-Wirkungsgrad, eine schnellere Betriebsfrequenz, eine erhöhte Leistungsdichte, eine reduzierte EMI, eine kleinere Systemgröße und niedrigere Kosten. Das SiC-Portfolio von onsemi umfasst 650-V- und 1.200-V-Dioden, 650-V- und 1.200-V-IGBT- und SiC-Dioden-Power-Integrated-Module (PIMs), 1.200-V-MOSFETs und SiC-MOSFET-Treiber sowie AEC-Q100-qualifizierte Bauteile.

Siliziumkarbid-Schottky-Dioden

onsemi Siliziumkarbid-Schottky-Dioden (SiC) bringen eine hervorragende Schaltleistung und eine höhere Zuverlässigkeit zu Silizium-basierten Bauteilen. SiC-Schottky-Dioden verfügen über keinen Sperrverzögerungsstrom, eine temperaturunabhängige Schaltung und eine hervorragende thermische Leistung. Zu den Systemvorteilen zählen ein hoher Wirkungsgrad, eine schnelle Betriebsfrequenz, eine hohe Leistungsdichte, geringe EMI und eine reduzierte Systemgröße und niedrigere Kosten. onsemi bietet Bauteile in 650 V und 1.200 V mit zahlreichen Strom- und Gehäuseoptionen, die sich bestens für Leistungssystemdesigns der nächsten Generation eignen.

D1 EliteSiC-Dioden

Die D1 EliteSiC-Dioden von onsemi sind eine leistungsstarke und vielseitige Lösung, die für moderne Leistungselektronik-Applikationen ausgelegt ist. Der onsemi D1 verfügt über Spannungswerte von 650 V, 1200 V und 1700 V. Diese Dioden bieten die Flexibilität, um verschiedene Design-Anforderungen zu erfüllen. Mit verschiedenen Gehäusen, beispielsweise D2PAK2, D2PAK3, TO-220-2, TO-247-2 und TO-247-3, bieten die D1 EliteSiC-Dioden dem Designer Optionen zur Optimierung der Boardfläche und der thermischen Leistung.

650-V-SiC-Schottky-Dioden

Die 650-V-Siliziumkarbid-Schottky-Dioden (SiC) von onsemi bringen eine hervorragende Schaltleistung und eine höhere Zuverlässigkeit zu Silizium-basierten Bauteilen. Diese SiC-Schottky-Dioden haben keinen Sperrverzögerungsstrom und verfügen über eine temperaturunabhängige Schaltung sowie eine hervorragende thermische Leistung. Die Vorteile für das System sind ein hoher Wirkungsgrad, eine schnelle Betriebsfrequenz, eine hohe Leistungsdichte, eine niedrige EMI, eine kleine Systemgröße und niedrige Kosten.