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FDMS86183

Name: onsemi FDMS86183
Brand: onsemi
SKU: 512-FDMS86183
Price: 2.07 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

512-FDMS86183

Herst.- Nr.:

FDMS86183

Herst.:

onsemi

Beschreibung:

MOSFETs PTNG 100/20V Nch Power Trench Mosfet

Datenblatt:

FDMS86183 Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

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Cut-Tape

MouseReel™ (+5,00 €)

Preis (EUR)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	2,07 €	2,07 €
	1,33 €	13,30 €
	0,903 €	90,30 €
	0,721 €	360,50 €
	0,662 €	662,00 €
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 3000)
	0,662 €	1.986,00 €

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von 5,00 € hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	onsemi
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	Power-56-8
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	100 V
Id - Drain-Gleichstrom:	51 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	9.9 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	2 V
Qg - Gate-Ladung:	21 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	63 W
Kanalmodus:	Enhancement
Handelsname:	PowerTrench
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	onsemi
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	3 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	20 S
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	3 ns
Serie:	FDMS86183
Verpackung ab Werk:	3000
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	15 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	11 ns
Gewicht pro Stück:	68,100 mg

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Datenblatt

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Images

Dimensional Outline Drawing (PDF)

PCN

Konformitätscodes

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Ursprungsklassifikationen

Ursprungsland:: China
Herstellungsland:: China
Land der Verbreitung:: Korea, Republik von

Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

Shielded-Gate-PowerTrench® MOSFET

Der Shielded-Gate-PowerTrench® MOSFET von onsemi ist ein 100 V N-Kanal-MV-MOSFET, der mit dem PowerTrench®-Verfahren mit integrierter Shielded-Gate-Technologie entwickelt wurde. Diese MOSFETs reduzieren den Durchlasswiderstand (RDSON) und die Sperrverzugsladung (Qrr), um eine hervorragende Schaltleistung und Effizienz zu bieten. Die kleine Gateladung (QG), kleine Sperrverzögerungsladung (Qrr) und Gütefaktor (FOM) gewährleisten ein schnelles Schalten in Synchrongleichrichterapplikationen. Dieses Gerät hat einen nur kleinen oder gar keinen Spannungsüberschuss, verringert das Spannungsüberschwingen sowie EMI für Applikationen, die einen 100V-eingestuften MOSFET wie z. B. Netzgeräte und Motorantriebe benötigen. Darüber hinaus ermöglicht die verbesserte Leistungsdichte der MOSFETs eine breitere MOSFET-Unterlastung. Der FDMS86181 MOSFET ist vollständig UIL-getestet und ist in einem robusten MSL1-Gehäuse erhältlich.
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