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FDMC2523P

Name: onsemi FDMC2523P
Brand: onsemi
SKU: 512-FDMC2523P
Price: 1.51 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

512-FDMC2523P

Herst.- Nr.:

FDMC2523P

Herst.:

onsemi

Beschreibung:

MOSFETs -150V P-Channel QFET

Datenblatt:

FDMC2523P Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

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Cut-Tape

MouseReel™ (+5,00 €)

Preis (EUR)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	1,51 €	1,51 €
	1,15 €	11,50 €
	0,84 €	84,00 €
	0,69 €	345,00 €
	0,672 €	672,00 €
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 3000)
	0,579 €	1.737,00 €

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von 5,00 € hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	onsemi
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	Power-33-8
Transistorpolung:	P-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	150 V
Id - Drain-Gleichstrom:	3 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	1.5 Ohms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 30 V, 30 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	5 V
Qg - Gate-Ladung:	9 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	42 W
Kanalmodus:	Enhancement
Handelsname:	QFET
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	onsemi
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	13 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	1.4 S
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	11 ns
Serie:	FDMC2523P
Verpackung ab Werk:	3000
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 P-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	19 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	15 ns
Gewicht pro Stück:	210 mg

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Datenblatt

FDMC2523P Datenblatt (PDF)

PCN

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

150V p-Kanal PowerTrench® MOSFETs

Die 150V p-Kanal PowerTrench® MOSFETs von Fairchild bieten eine p-Kanal Silizium-Technologie mit sehr geringem Einschaltwiderstand _DS(on) und Mittenspannung, die für eine niedrige Qg optimiert und ideal für Lastschaltanwendungen ist. Dieser p-Kanal-PowerTrench®-MOSFET wird unter Verwendung von Fairchild Semiconductors fortschrittlichem PowerTrench®-Prozess produziert, der für einen geringen Durchlasswiderstand optimiert wurde, die erstklassige Schaltleistung aber aufrecht erhält.
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Lösungen für die Energieinfrastruktur

Die Energieinfrastrukturlösungen von onsemi adressieren die Landschaft für Energieerzeugung, -verteilung und -speicherung, die sich schnell entwickelt, um die von der Regierungspolitik gesetzten Ziele zu erfüllen und den Verbrauch zu erhöhen. Erhöhte Effizienzziele, Reduzierung der CO2-Emissionen und der Fokus auf erneuerbare und saubere Energie sind Schlüsselfaktoren für diese Entwicklung der Energieinfrastruktur. onsemi bietet ein umfassendes Portfolio energieeffizienter Lösungen für die anspruchsvollen Anforderungen von Hochleistungsapplikationen, einschließlich Siliziumkarbid-Dioden (SiC), intelligenten Leistungsmodulen und Strommessverstärkern.

Fairchild Mittelspannungs-p-Kanal-MOSFETs

Fairchild Mittelspannungs-p-Kanal-MOSFETs sind 100V und 150V p-Kanal-MOSFETs, die branchenweit unübertroffene R_DS-ON- und Q_g-Werte bieten. Jedes dieser Bauteile wird mit Hilfe von Fairchilds moderner PowerTrench®-Technologie hergestellt. Dieser High-Density-Prozess ist speziell dafür zugeschnitten, den Durchlasswiderstand zu minimieren und für eine überlegene Schaltleistung optimiert. Typische Anwendungen sind High-Side-Schaltung bei Motorantrieben und Beleuchtung, Active Clamp in DC-DC und Lastschalter.
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