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FDD86540

Name: onsemi FDD86540
Brand: onsemi
SKU: 512-FDD86540
Price: 1.61 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

512-FDD86540

Herst.- Nr.:

FDD86540

Herst.:

onsemi

Beschreibung:

MOSFETs 60V 50A 4.1ohm NCh PowerTrench MOSFET

Datenblatt:

FDD86540 Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

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Cut-Tape

MouseReel™ (+5,00 €)

Preis (EUR)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	1,61 €	1,61 €
	1,02 €	10,20 €
	0,688 €	68,80 €
	0,544 €	272,00 €
	0,503 €	503,00 €
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 2500)
	0,47 €	1.175,00 €

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von 5,00 € hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	onsemi
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	DPAK-3 (TO-252-3)
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	60 V
Id - Drain-Gleichstrom:	21.5 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	5 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	2 V
Qg - Gate-Ladung:	90 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	127 W
Kanalmodus:	Enhancement
Handelsname:	PowerTrench
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	onsemi
Konfiguration:	Single
Land der Bestückung:	Not Available
Land der Verbreitung:	Not Available
Ursprungsland:	CN
Produkt-Typ:	MOSFETs
Serie:	FDD86540
Verpackung ab Werk:	2500
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channel
Gewicht pro Stück:	330 mg

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Datenblatt

FDD86540 Datenblatt (PDF)

PCN

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

NTD5Cx Leistungs-MOSFETs

onsemi NTD5Cx Leistungs-MOSFETs sind Einzel-n-Kanal-MOSFETs mit niedrigem R_DS(on) zur Reduzierung von Leitungsverlusten sowie niedrigem Q_G und einer Kapazität zur Reduzierung der Treiberverluste. Diese Leistungs-MOSFETs bieten eine Drain-Source-Spannung (V_DS) von 40 V und 60 V. Diese NTD5Cx Leistungs-MOSFETs werden bei einem Betriebs- und Sperrschichttemperaturbereich von -55 °C bis 175 °C betrieben. Diese NTD5Cx MOSFETs sind bleifreie, halogen-/BFR-freie und RoHS-konforme Bauteile.