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DMN53D0LDW-7

Name: Diodes Incorporated DMN53D0LDW-7
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 621-DMN53D0LDW-7
Price: 0.24 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

621-DMN53D0LDW-7

Herst.- Nr.:

DMN53D0LDW-7

Herst.:

Diodes Incorporated

Beschreibung:

MOSFETs N-Ch 50Vds 20Vgs FET Enh Mode 46pF 1.5Vgs

Datenblatt:

DMN53D0LDW-7 Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

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Cut-Tape

MouseReel™ (+5,00 €)

Preis (EUR)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	0,249 €	0,25 €
	0,151 €	1,51 €
	0,095 €	9,50 €
	0,07 €	35,00 €
	0,058 €	58,00 €
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 3000)
	0,049 €	147,00 €
	0,042 €	252,00 €
	0,037 €	333,00 €
	0,034 €	816,00 €

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von 5,00 € hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

Alternativverpackung

Herst. Teilenr.:

DMN53D0LDW-13

Verpackung:

Reel, Cut Tape, MouseReel

Verfügbarkeit:

Auf Lager

Preis:

0,26 €

Min:

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Diodes Incorporated
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	SOT-363-6
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	2 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	50 V
Id - Drain-Gleichstrom:	360 mA
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	1.6 Ohms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	800 mV
Qg - Gate-Ladung:	600 pC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	310 mW
Kanalmodus:	Enhancement
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	Diodes Incorporated
Konfiguration:	Dual
Abfallzeit:	11 ns, 11 ns
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	2.5 ns, 2.5 ns
Serie:	DMN53
Verpackung ab Werk:	3000
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	2 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	19 ns, 19 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	2.7 ns, 2.7 ns
Gewicht pro Stück:	7,500 mg

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Datenblatt

DMN53D0LDW-7 Datenblatt (PDF)

PCN

Environmental Compliance (PDF)

TARIC:: 8541210000
CNHTS:: 8541210000
CAHTS:: 8541210000
USHTS:: 8541210095
JPHTS:: 8541210101
KRHTS:: 8541219000
MXHTS:: 85412101
ECCN:: EAR99

DMNxx MOSFETs

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DMN53xx N-Channel Enhancement Mode MOSFETs

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Power MOSFETs

Diodes Incorporated offers a broad range of Power MOSFETs, enabling designers to select a device optimized for their end application, thus enabling next generation consumer, computer and communication product designs. The Diodes portfolio is ideally suited to meeting the circuit requirements of DC-DC conversion, load switching, motor control, backlighting, battery protection, battery chargers, audio circuits, and automotive applications.