Scheinbar haben Sie Javascript in Ihrem Browser deaktiviert. Einige Funktionen auf dieser Seite funktionieren nur, wenn Sie sich anmelden.

Zurück zu Suchergebnissen

Wird ein Fehler angezeigt?

DIW065SIC015

Name: Diotec Semiconductor DIW065SIC015
Brand: Diotec Semiconductor
SKU: 637-DIW065SIC015
Price: 80.31 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

637-DIW065SIC015

Herst.- Nr.:

DIW065SIC015

Herst.:

Diotec Semiconductor

Beschreibung:

SiC-MOSFETs SiC MOSFET, TO-247-3L, N, 150A, 650V, 15m?, 175°C

Lebenszyklus:

Neues Produkt:

Neu von diesem Hersteller.

Datenblatt:

DIW065SIC015 Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

Den kostenlosen Library Loader herunterladen, um diese Datei für Ihr ECAD Tool zu konvertieren. Weitere Infos zu ECAD-Modell.

Mehr über

Weitere Informationen zu Diotec Semiconductor DIW065SIC015

Auf Lager: 450

Lagerbestand:: 450 sofort lieferbar

Ein unerwarteter Fehler ist aufgetreten. Bitte versuchen Sie es später noch einmal.

Menge eingeben:

Minimum: 1 Vielfache: 1

Stückpreis:

-,-- €

Erw. Preis:

-,-- €

Vorauss. Zolltarif:

Dieses Produkt wird KOSTENLOS versandt

Preis (EUR)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
	80,31 €	80,31 €
	62,79 €	627,90 €
	37,66 €	4.519,20 €
510	Kostenvoranschlag

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Diotec Semiconductor
Produktkategorie:	SiC-MOSFETs
RoHS:
Montageart:	Through Hole
Verpackung/Gehäuse:	TO-247-3
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	650 V
Id - Drain-Gleichstrom:	150 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	15 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 4 V, + 15 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	4 V
Qg - Gate-Ladung:	236 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Pd - Verlustleistung:	550 W
Kanalmodus:	Enhancement
Handelsname:	DIW065SIC015
Marke:	Diotec Semiconductor
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	27 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	42 S
Produkt:	MOSFETs
Produkt-Typ:	SiC MOSFETS
Anstiegszeit:	136 ns
Verpackung ab Werk:	30
Unterkategorie:	Transistors
Technologie:	SiC
Transistorart:	1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	63 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	25 ns

Produkte gefunden:

Um ähnliche Produkte anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen aus

Um ähnliche Produkte in dieser Kategorie anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen oben aus.

Ausgewählte Attribute: 0

Dokument filtern:

Datenblatt

DIW065SIC015 Datenblatt (PDF)

Für diese Funktionalität ist die Aktivierung von JavaScript erforderlich.

TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

TO-247-3L/4L Silicon Carbide (SiC) MOSFETs

Diotec Semiconductor TO-247-3L/4L Silicon Carbide (SiC) MOSFETs are ideally suited for high voltage and high frequency switching used in charging systems for electric vehicles (EV), solar inverters, or telecom power supplies. These MOSFETs feature a high 1200V and 650V reverse voltage, extremely low on-resistance, total Gate charge, low switching time, and low total switching energy. Advanced planar technology and the Silicon Carbide wafer material enable higher on-resistances at higher switching frequencies. These MOSFETs are used in DC-DC converters, DC drives, inverters, charging stations, Power Factor Correction (PFC), solar inverters, and power supplies.