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DIF120SIC053-AQ

Name: Diotec Semiconductor DIF120SIC053-AQ
Brand: Diotec Semiconductor
SKU: 637-DIF120SIC053-AQ
Price: 75.83 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

637-DIF120SIC053-AQ

Herst.- Nr.:

DIF120SIC053-AQ

Herst.:

Diotec Semiconductor

Beschreibung:

SiC-MOSFETs

Datenblatt:

DIF120SIC053-AQ Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

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	75,83 €	75,83 €
	59,29 €	592,90 €
	35,55 €	4.266,00 €
510	Kostenvoranschlag

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Diotec Semiconductor
Produktkategorie:	SiC-MOSFETs
RoHS:
REACH - SVHC:
Montageart:	Through Hole
Verpackung/Gehäuse:	TO-247-4
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	1.2 kV
Id - Drain-Gleichstrom:	65 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	53 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 4 V, + 18 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	4 V
Qg - Gate-Ladung:	121 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Pd - Verlustleistung:	278 W
Kanalmodus:	Enhancement
Marke:	Diotec Semiconductor
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	15 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	21 S
Verpackung:	Tube
Produkt-Typ:	SiC MOSFETS
Anstiegszeit:	58 ns
Serie:	120SIC
Verpackung ab Werk:	30
Unterkategorie:	Transistors
Technologie:	SiC
Regelabschaltverzögerungszeit:	26 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	17 ns

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Datenblatt

DIF120SIC053-AQ Datenblatt (PDF)

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TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

TO-247-3L/4L Silicon Carbide (SiC) MOSFETs

Diotec Semiconductor TO-247-3L/4L Silicon Carbide (SiC) MOSFETs are ideally suited for high voltage and high frequency switching used in charging systems for electric vehicles (EV), solar inverters, or telecom power supplies. These MOSFETs feature a high 1200V and 650V reverse voltage, extremely low on-resistance, total Gate charge, low switching time, and low total switching energy. Advanced planar technology and the Silicon Carbide wafer material enable higher on-resistances at higher switching frequencies. These MOSFETs are used in DC-DC converters, DC drives, inverters, charging stations, Power Factor Correction (PFC), solar inverters, and power supplies.