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BSM300D12P4G101

Name: ROHM Semiconductor BSM300D12P4G101
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-BSM300D12P4G101
Price: 546.95 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

755-BSM300D12P4G101

Herst.- Nr.:

BSM300D12P4G101

Herst.:

ROHM Semiconductor

Beschreibung:

MOSFET-Module 1200V, 291A, Half bridge, Full SiC-Power Module with Trench MOSFET

Datenblatt:

BSM300D12P4G101 Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

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Menge	Stückpreis	Erw. Preis
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.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

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Hersteller:	ROHM Semiconductor
Produktkategorie:	MOSFET-Module
RoHS:
Technologie:	SiC
Montageart:	Screw Mount
Verpackung/Gehäuse:	Module
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	2 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	1.2 kV
Id - Drain-Gleichstrom:	291 A
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 4 V, + 21 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	4.8 V
Minimale Betriebstemperatur:	- 40 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	925 W
Verpackung:	Bulk
Marke:	ROHM Semiconductor
Konfiguration:	Dual
Abfallzeit:	57 ns
Länge:	152 mm
Produkt-Typ:	MOSFET Modules
Anstiegszeit:	45 ns
Verpackung ab Werk:	4
Unterkategorie:	Discrete and Power Modules
Typ:	SiC Power Module
Regelabschaltverzögerungszeit:	270 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	63 ns
Breite:	62 mm

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Datenblatt

BSM300D12P4G101 Datenblatt (PDF)

Specification Sheets

Datasheet - Chinese (English language)

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TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

SiC-Leistungsmodule

Die SiC-Leistungsmodule von ROHM Semiconductor sind SiC-Halbbrückenmodule mit einem SiC-MOSFET und SiC-SBD in einem einzigen Gehäuse. Diese Module unterstützen den Hochfrequenzbetrieb durch verringerte Schaltverluste. Das optimierte Design reduziert die Streuinduktivität im Vergleich zu bestehenden Lösungen. Und um eine übermäßige Wärmeerzeugung zu verhindern, werden Modelle vom Typ E mit einem zusätzlichen Thermistor angeboten.