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BFU590QX

Name: NXP BFU590QX
Brand: NXP Semiconductors
SKU: 771-BFU590QX
Price: 1.84 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

771-BFU590QX

Herst.- Nr.:

BFU590QX

Herst.:

NXP Semiconductors

Beschreibung:

HF-Bipolartransistoren NPN wideband silicon RF transistor

Lebenszyklus:

End-of-Life-Produkt :

Gilt als veraltet und wurde vom Hersteller abgekündigt

Datenblatt:

BFU590QX Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

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Cut-Tape

MouseReel™ (+5,00 €)

Preis (EUR)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	1,84 €	1,84 €
	1,15 €	11,50 €
	0,748 €	74,80 €
	0,576 €	288,00 €
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 1000)
	0,422 €	422,00 €

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von 5,00 € hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	NXP
Produktkategorie:	HF-Bipolartransistoren
RoHS:
Serie:	BFU590Q
Transistorart:	Bipolar Wideband
Technologie:	Si
Transistorpolung:	NPN
Betriebsfrequenz:	8 GHz
DC-Kollektor/Basisgewinnung hfe Min:	60
Kollektor-Emitterspannung VCEO max.:	12 V
Emitter-Basisspannung VEBO:	2 V
Kollektorgleichstrom:	200 mA
Minimale Betriebstemperatur:	- 40 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Konfiguration:	Single
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	SOT-89-3
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	NXP Semiconductors
Maximaler Kollektorgleichstrom (DC):	300 mA
Ausgangsleistung:	22 dBm
Pd - Verlustleistung:	2 W
Produkt-Typ:	RF Bipolar Transistors
Verpackung ab Werk:	1000
Unterkategorie:	Transistors
Artikel # Aliases:	934067977115
Gewicht pro Stück:	40,337 mg

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Datenblatt

BFU590QX Datenblatt (PDF)

PCN

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290055
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

BFU5x NPN Breitband-Silizium HF-Transistoren

NXP Semiconductor BFU5x NPN-Breitband Silizium-HF-Transistoren sind AEC-Q101 qualifiziert, weisen geringes Rauschen auf, hohe HF-Aufschlüsselung und sind geeignet für Kleinsignaltransistoren von mittleren Leistungsanwendungen bis zu 2GHz. Mit außergewöhnlicher Leistung erzeugen BFU5x HF-Transistoren maximale Verstärkung von 20 dB und eine Rauschzahl von 0,7 dB bei 900 MHz. Diese Geräte schaffen einen besseren Signalempfang bei niedriger bis mittlerer Leistung und ermöglichen den robusteren Einsatz von HF-Empfängern in lauten Umgebungen. Bei der Verwendung der (geräuscharmen) Verstärker oder Oszillatoren unterstützen BFU5x HF-Transistoren hohe Versorgungsspannungen und hohe Durchschlagsspannungen. Dies macht diese Geräte für Automobil-, Kommunikations- und industrielle Anwendungen gut geeignet. Die Produktfamilie ist in zahlreichen Industriestandard-Gehäusen, einschließlich SOT323, SOT23 und SOT143 erhältlich.
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