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BFU530WX

Name: NXP BFU530WX
Brand: NXP Semiconductors
SKU: 771-BFU530WX
Price: 0.34 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

771-BFU530WX

Herst.- Nr.:

BFU530WX

Herst.:

NXP Semiconductors

Beschreibung:

HF-Bipolartransistoren Dual NPN wideband Silicon RFtransistor

Lebenszyklus:

End-of-Life-Produkt :

Gilt als veraltet und wurde vom Hersteller abgekündigt

Datenblatt:

BFU530WX Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

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Cut-Tape

MouseReel™ (+5,00 €)

Preis (EUR)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	0,344 €	0,34 €
	0,245 €	2,45 €
	0,212 €	21,20 €
	0,204 €	102,00 €
	0,199 €	199,00 €
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 3000)
	0,196 €	588,00 €
	0,186 €	1.116,00 €

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von 5,00 € hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	NXP
Produktkategorie:	HF-Bipolartransistoren
RoHS:
Serie:	BFU530W
Transistorart:	Bipolar Wideband
Technologie:	Si
Transistorpolung:	NPN
Betriebsfrequenz:	11 GHz
DC-Kollektor/Basisgewinnung hfe Min:	60
Kollektor-Emitterspannung VCEO max.:	12 V
Emitter-Basisspannung VEBO:	2 V
Kollektorgleichstrom:	40 mA
Minimale Betriebstemperatur:	- 40 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Konfiguration:	Single
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	SOT-323-3
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	NXP Semiconductors
Maximaler Kollektorgleichstrom (DC):	65 mA
Ausgangsleistung:	10 dBm
Pd - Verlustleistung:	450 mW
Produkt-Typ:	RF Bipolar Transistors
Verpackung ab Werk:	3000
Unterkategorie:	Transistors
Artikel # Aliases:	934067694115
Gewicht pro Stück:	5,569 mg

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Datenblatt

BFU530WX Datenblatt (PDF)

PCN

TARIC:: 8541210000
CNHTS:: 8541210000
CAHTS:: 8541210000
USHTS:: 8541210075
JPHTS:: 854121000
KRHTS:: 8541219000
MXHTS:: 8541210100
ECCN:: EAR99

BFU5x NPN Breitband-Silizium HF-Transistoren

NXP Semiconductor BFU5x NPN-Breitband Silizium-HF-Transistoren sind AEC-Q101 qualifiziert, weisen geringes Rauschen auf, hohe HF-Aufschlüsselung und sind geeignet für Kleinsignaltransistoren von mittleren Leistungsanwendungen bis zu 2GHz. Mit außergewöhnlicher Leistung erzeugen BFU5x HF-Transistoren maximale Verstärkung von 20 dB und eine Rauschzahl von 0,7 dB bei 900 MHz. Diese Geräte schaffen einen besseren Signalempfang bei niedriger bis mittlerer Leistung und ermöglichen den robusteren Einsatz von HF-Empfängern in lauten Umgebungen. Bei der Verwendung der (geräuscharmen) Verstärker oder Oszillatoren unterstützen BFU5x HF-Transistoren hohe Versorgungsspannungen und hohe Durchschlagsspannungen. Dies macht diese Geräte für Automobil-, Kommunikations- und industrielle Anwendungen gut geeignet. Die Produktfamilie ist in zahlreichen Industriestandard-Gehäusen, einschließlich SOT323, SOT23 und SOT143 erhältlich.
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