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BFU530R

Name: NXP BFU530R
Brand: NXP Semiconductors
SKU: 771-BFU530R
Price: 0.57 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

771-BFU530R

Herst.- Nr.:

BFU530R

Herst.:

NXP Semiconductors

Beschreibung:

HF-Bipolartransistoren NPN wideband silicon RF transistor

Lebenszyklus:

End-of-Life-Produkt :

Gilt als veraltet und wurde vom Hersteller abgekündigt

Datenblatt:

BFU530R Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

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.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

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Hersteller:	NXP
Produktkategorie:	HF-Bipolartransistoren
RoHS:
Serie:	BFU530
Transistorart:	Bipolar Wideband
Technologie:	Si
Transistorpolung:	NPN
Betriebsfrequenz:	11 GHz
DC-Kollektor/Basisgewinnung hfe Min:	60
Kollektor-Emitterspannung VCEO max.:	12 V
Emitter-Basisspannung VEBO:	2 V
Kollektorgleichstrom:	40 mA
Minimale Betriebstemperatur:	- 40 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Konfiguration:	Single
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	SOT-143B-4
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Marke:	NXP Semiconductors
Maximaler Kollektorgleichstrom (DC):	65 mA
Ausgangsleistung:	10 dBm
Pd - Verlustleistung:	450 mW
Produkt-Typ:	RF Bipolar Transistors
Verpackung ab Werk:	3000
Unterkategorie:	Transistors
Artikel # Aliases:	934067703215
Gewicht pro Stück:	9 mg

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Datenblatt

BFU530R Datenblatt (PDF)

PCN

TARIC:: 8541210000
CNHTS:: 8541210000
CAHTS:: 8541210000
USHTS:: 8541210075
JPHTS:: 854121000
KRHTS:: 8541219000
MXHTS:: 8541210100
ECCN:: EAR99

BFU5x NPN Breitband-Silizium HF-Transistoren

NXP Semiconductor BFU5x NPN-Breitband Silizium-HF-Transistoren sind AEC-Q101 qualifiziert, weisen geringes Rauschen auf, hohe HF-Aufschlüsselung und sind geeignet für Kleinsignaltransistoren von mittleren Leistungsanwendungen bis zu 2GHz. Mit außergewöhnlicher Leistung erzeugen BFU5x HF-Transistoren maximale Verstärkung von 20 dB und eine Rauschzahl von 0,7 dB bei 900 MHz. Diese Geräte schaffen einen besseren Signalempfang bei niedriger bis mittlerer Leistung und ermöglichen den robusteren Einsatz von HF-Empfängern in lauten Umgebungen. Bei der Verwendung der (geräuscharmen) Verstärker oder Oszillatoren unterstützen BFU5x HF-Transistoren hohe Versorgungsspannungen und hohe Durchschlagsspannungen. Dies macht diese Geräte für Automobil-, Kommunikations- und industrielle Anwendungen gut geeignet. Die Produktfamilie ist in zahlreichen Industriestandard-Gehäusen, einschließlich SOT323, SOT23 und SOT143 erhältlich.
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