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2ED020I12-FI

Name: Infineon 2ED020I12-FI
Brand: Infineon Technologies
SKU: 641-2ED020I12-FI
Price: 4.7 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

641-2ED020I12-FI

Herst.- Nr.:

2ED020I12-FI

Herst.:

Infineon Technologies

Beschreibung:

Gate-Treiber ISOLATED DRIVER

Datenblatt:

2ED020I12-FI Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

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Cut-Tape

MouseReel™ (+5,00 €)

Preis (EUR)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	4,70 €	4,70 €
	3,23 €	32,30 €
	3,00 €	75,00 €
	2,64 €	264,00 €
	2,50 €	625,00 €
	2,24 €	1.120,00 €
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 1000)
	1,89 €	1.890,00 €
	1,83 €	3.660,00 €

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von 5,00 € hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Infineon
Produktkategorie:	Gate-Treiber
RoHS:
Produkt:	IGBT, MOSFET Gate Drivers
Typ:	High-Side
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	DSO-18
Anzahl der Treiber:	2 Driver
Anzahl der Ausgänge:	2 Output
Ausgangsstrom:	1 A
Versorgungsspannung - Min.:	14 V
Versorgungsspannung - Max.:	18 V
Konfiguration:	Inverting, Non-Inverting
Anstiegszeit:	20 ns
Abfallzeit:	20 ns
Minimale Betriebstemperatur:	- 40 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Serie:	2ED-FI Enhanced
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	Infineon Technologies
Logiktyp:	CMOS, TTL
Feuchtigkeitsempfindlich:	Yes
Betriebsversorgungsstrom:	3.9 mA
Ausgangsspannung:	1.7 V
Pd - Verlustleistung:	1.4 W
Produkt-Typ:	Gate Drivers
Verzögerungszeit - Max.:	130 ns
Abschaltung:	Yes
Verpackung ab Werk:	1000
Unterkategorie:	PMIC - Power Management ICs
Technologie:	Si
Handelsname:	EiceDRIVER
Artikel # Aliases:	SP000265782 2ED020I12FIXUMA1
Gewicht pro Stück:	530 mg

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Datenblatt

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Product Catalogs

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TARIC:: 8542399000
CNHTS:: 8542399000
CAHTS:: 8542390000
USHTS:: 8542310075
JPHTS:: 8542390990
MXHTS:: 85423999
ECCN:: EAR99

EiceDRIVER™ Verbesserte isolierte Gate-Treiber-ICs

Die EiceDRIVER™ verbesserten isolierten Gate-Treiber-ICs von Infineon Technologies bieten Schutzfunktionen, wie z. B. DESAT, Miller-Klemme, sanftes Ausschalten für MOSFETs, IGBTs und SiC-MOSFETs. Diese isolierten Treiber basieren auf unserer Transformator-Technologie (CT) ohne Core und ermöglichen eine erstklassige Gleichtakt-Transientenimmunität (CMTI) von 300 kV/μs. Die Miller-Klemme und die genaue Kurzschluss-Sicherung (DESAT) ermöglichen eine überlegene Applikationssicherheit, indem ein parasitäres Einschalten und eine Kurzschluss-Sicherung bei der Ansteuerung von CoolSiC™-SiC-MOSFETs und TRENCHSTOP™-IGBT7 umgangen werden. Die isolierten EiceDRIVER™ Treiber bieten Antriebsfunktionen bis zu 9 A, wodurch Booster-Lösungen überflüssig werden. Diese Einkanal- und Zweikanal-gate-Treiber-ICs sind als analoge X3-Produktfamilie (1ED34xx) und gate-Treiber-ICs der X3-Produktfamilie verfügbar. Die 1ED34xx und 1ED38xx gate-Treiber-ICs bieten einen Ausgangsstrom von 9 A und eine_maximale Ausgangsspannung von 40 V in einem platzsparenden breiten DS0-16-Gehäuse mit feinem Rastermaß und einer Kriechstrecke von 8 mm. Diese ICs verfügen über eine Kurzschluss-Klemmung und eine aktive Abschaltung und bieten die höchste Isolationsfähigkeit für die 1500 V DC-Solarwechselrichter-Applikation.

EiceDRIVER™ Gate-Treiber-ICs

Infineon EiceDRIVER™ Gate-Treiber-ICs sind für MOSFETs, IGBTs, SiC-MOSFETs und GaN-HEMTs-Bauteile ausgelegt. EiceDRIVER™ Gate-Treiber bieten eine große Auswahl von typischen Ausgangsstromoptionen von 0,1 μA bis 10 μA. Diese Bauteile verfügen über robuste Gate-Treiber-Schutzfunktionen, wie z. B. schnelle Kurzschluss-Sicherung (DESAT), aktive Miller-Klemme, Durchzündungsschutz, Fehler-, Abschalt- und Überstromschutz. Diese Funktionen machen diese Treiber-ICs ideal für Silizium- und Breitbandlücken-Leistungsbauteile, einschließlich CoolGaN™ und CoolSiC™. Aus diesem Grund bietet der Infineon mehr als 500 EiceDRIVER™ Gate-Treiber-IC-Lösungen, die sich für jeden Leistungsschalter und jede Applikation eignen.

Einkanal-MOSFET-Gatetreiber-ICs

Die Einkanal-MOSFET-Gatter-Treiber-ICs von Infineon sind ein wesentliches Bindeglied zwischen Steuer-ICs und leistungsstarken MOSFET- und GaN-Schaltern. Die Gatetreiber-ICs von Infineon ermöglichen eine hohe Effizienz auf Systemebene, bieten eine exzellente Leistungsdichte und eine dauerhafte Systemrobustheit.
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Isolierte Gate-Treiber

Infineon Isolierte Gate-Treiber verwenden eine magnetisch gekoppelte kernlose Transformator-Technologie (CT) zur Übertragung von Signalen über die galvanische Trennung. Diese Treiber bieten funktionale grundlegende, verstärkte isolierte, UL 1577- und VDE 0884-zertifizierte Produkte. Die Isolierung ermöglicht sehr große Spannungsschwankungen (z.B. ±1.200 V). Diese isolierten Treiber enthalten die wichtigsten Merkmale und Parameter für MOSFET-, IGBT-, IGBT-Module, SiC-MOSFET- und GaN-HEMT-Antrieb.

Halbbrücken-Gate-Treiber-ICs

Infineon Technologies Halbbrücken-Gate-Treiber-ICs basieren auf der Pegelwandler-Silicon-On-Insulator-Technologie (SOI). Diese Technologie integriert eine niederohmige ultraschnelle Bootstrap-Diode und unterstützt einen höheren Wirkungsgrad und kleinere Formfaktoren von Applikationen.

DC-EV-Ladelösungen

Die DC-EV-Ladelösungen von Infineon sind ein Portfolio von Halbleitern mit hohem Wirkungsgrad, die der steigenden Nachfrage nach schnelleren Batterieladesystemen in Elektrofahrzeugen (EV) gerecht werden. Aufgrund ihrer schnelleren Ladezeiten sind DC-Ladestationen derzeit die attraktivere Lösung als herkömmliche AC-EV-Ladestationen. Mit einer 120-kW-DC-Ladesäule kann nahezu 80 % einer Batterie in 30 Minuten geladen werden. Mit der Weiterentwicklung von Schnellladetechnologien wird sich die Ladezeit noch weiter verkürzen. Die Entwicklung einer erfolgreichen DC-EV-Versorgung kann jedoch eine schwierige Aufgabe sein. Die Designs müssen zur Verkürzung der Ladezeiten eine verbesserte Ausgangsleistung bieten, die Leistungsdichte innerhalb einer Gruppe von Ladestationen erhöhen, den Wirkungsgrad durch Erhöhung der Lasten verbessern und die Verlustleistung verringern. Infineon ist in der Lage, EV-Ladelösungen zu bieten, die Kilowatt- bis Megawatt-Leistungsbereiche abdecken und Hochspannungs-MOSFETs, SIC-Dioden, Mikrocontroller, AC/DC-Leistungsumwandlung und Gatetreiber-ICs umfassen.

Erleben Sie den Unterschied in der Leistung

Infineon ist führend auf dem Leistungshalbleiter-Markt. Mit mehr als 20 Jahren Erfahrung und als Innovator der revolutionären CoolMOSTM™ -Superjunction-MOSFET-Technologie ist Infineon weiterhin eine Vorreiterrolle im Bereich des Energiemanagements. Kunden können basierend auf individuellen Design-/Systemanforderungen aus dem branchenweit breitesten Silizium-basierten SJ-MOSFET-Portfolio auswählen. Als einer der wenigen Hersteller, die alle drei Hauptenergietechnologien beherrschen, ergänzt Infineon dieses Sortiment durch ein bahnbrechendes Breitbandlücken-Angebot (WBG). Dieses Angebot umfasst Siliziumkarbid-basierte CoolSiC™-MOSFETs, Anpassungsdioden und Galliumnitrid-basierte CoolGaN ™ -E-Modus-HEMTs. Es gibt Lösungen, die von einem hervorragenden Preis-Leistungs-Verhältnis über eine unübertroffene Robustheit bis hin zu Geräten der Spitzenklasse reichen. Dies ermöglicht Kunden, effizientere, umweltfreundlichere und nachhaltigere Applikationen zu erstellen.