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1ED3491MU12MXUMA1

Name: Infineon 1ED3491MU12MXUMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-1ED3491MU12MXUMA
Price: 4.72 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

726-1ED3491MU12MXUMA

Herst.- Nr.:

1ED3491MU12MXUMA1

Herst.:

Infineon Technologies

Beschreibung:

Gate-Treiber ISOLATED DRIVER

Datenblatt:

1ED3491MU12MXUMA1 Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

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Cut-Tape

MouseReel™ (+5,00 €)

Preis (EUR)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	4,72 €	4,72 €
	3,61 €	36,10 €
	3,34 €	83,50 €
	3,03 €	303,00 €
	2,88 €	720,00 €
	2,80 €	1.400,00 €
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 1000)
	2,72 €	2.720,00 €
	2,62 €	5.240,00 €

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von 5,00 € hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Infineon
Produktkategorie:	Gate-Treiber
RoHS:
Produkt:	Isolated Gate Drivers
Montageart:	SMD/SMT
Anzahl der Treiber:	1 Driver
Anzahl der Ausgänge:	1 Output
Ausgangsstrom:	9 A
Versorgungsspannung - Min.:	3 V
Versorgungsspannung - Max.:	25 V
Anstiegszeit:	15 ns
Abfallzeit:	15 ns
Minimale Betriebstemperatur:	- 40 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 125 C
Serie:	Enhanced X3 analog
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	Infineon Technologies
Land der Bestückung:	ID
Land der Verbreitung:	DE
Ursprungsland:	DE
Feuchtigkeitsempfindlich:	Yes
Produkt-Typ:	Gate Drivers
Verpackung ab Werk:	1000
Unterkategorie:	PMIC - Power Management ICs
Handelsname:	EiceDRIVER
Artikel # Aliases:	1ED3491MU12M SP005350853

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Datenblatt

1ED3491MU12MXUMA1 Datenblatt (PDF)

Product Catalogs

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CNHTS:: 8542399000
USHTS:: 8542310075
ECCN:: EAR99

EiceDRIVER™ X3 Enhanced Analog-Produktfamilie

Die Infineon Technologies EiceDRIVER™ Enhanced X3 Analog-Produktfamilie bietet eine Widerstands-Konfigurierbarkeit für DESAT (einstellbare Filterzeit) und Sanftabschaltung (einstellbarer Strom) über externe Widerstände (ADJA- und ADJB-Pin). Die 1ED34xx isolierten Einkanal-Treiber von Infineon verfügen über einen Ausgangsstrom von bis zu 9 A und eine maximale Ausgangsversorgungsspannung von 40 V in einem platzsparenden DSO-16 Fine-Pitch-Wide-Body-Gehäuse mit einer Kriechstrecke von 8 mm. Die Enhanced X3 Analog-Produktfamilie ist nach UL 1577 als V_Iso = 5,7 kV_RMS für 1 Minute und nach VDE 0884-11 (verstärkte Isolierung) V_IORM = 1.767 V zugelassen.

Industrieantriebe

Infineon Industrial Drives bietet ein breites Portfolio an effizienten Halbleitern, die für Motorantriebe optimiert sind. Für intelligente Designs im Niedrigstrombereich kann der Entwickler auf intelligente Power-Module (IPMs) und diskrete Schaltkreise von Infineon zurückgreifen. Die EasyPIM™, EasyPACK™ und EconoPIM™ Module von Infineon eignen sich hervorragend für Antriebe mit mittlerer Leistung. EconoDUAL™ und PrimePACK™ sind die Lösungen der Wahl, wenn es um das Hochleistungsspektrum geht. Diese werden mit der innovativen .XT-Verbindungstechnologie kombiniert. PrimePACK-Module können Entwicklern dabei helfen, das Dilemma der Überlastung zu überwinden, indem sie die Lebensdauer durch erhöhte thermische und stromabhängige Belastbarkeit verlängern.

EiceDRIVER™ Verbesserte isolierte Gate-Treiber-ICs

Die EiceDRIVER™ verbesserten isolierten Gate-Treiber-ICs von Infineon Technologies bieten Schutzfunktionen, wie z. B. DESAT, Miller-Klemme, sanftes Ausschalten für MOSFETs, IGBTs und SiC-MOSFETs. Diese isolierten Treiber basieren auf unserer Transformator-Technologie (CT) ohne Core und ermöglichen eine erstklassige Gleichtakt-Transientenimmunität (CMTI) von 300 kV/μs. Die Miller-Klemme und die genaue Kurzschluss-Sicherung (DESAT) ermöglichen eine überlegene Applikationssicherheit, indem ein parasitäres Einschalten und eine Kurzschluss-Sicherung bei der Ansteuerung von CoolSiC™-SiC-MOSFETs und TRENCHSTOP™-IGBT7 umgangen werden. Die isolierten EiceDRIVER™ Treiber bieten Antriebsfunktionen bis zu 9 A, wodurch Booster-Lösungen überflüssig werden. Diese Einkanal- und Zweikanal-gate-Treiber-ICs sind als analoge X3-Produktfamilie (1ED34xx) und gate-Treiber-ICs der X3-Produktfamilie verfügbar. Die 1ED34xx und 1ED38xx gate-Treiber-ICs bieten einen Ausgangsstrom von 9 A und eine_maximale Ausgangsspannung von 40 V in einem platzsparenden breiten DS0-16-Gehäuse mit feinem Rastermaß und einer Kriechstrecke von 8 mm. Diese ICs verfügen über eine Kurzschluss-Klemmung und eine aktive Abschaltung und bieten die höchste Isolationsfähigkeit für die 1500 V DC-Solarwechselrichter-Applikation.

EiceDRIVER™ Gate-Treiber-ICs

Infineon EiceDRIVER™ Gate-Treiber-ICs sind für MOSFETs, IGBTs, SiC-MOSFETs und GaN-HEMTs-Bauteile ausgelegt. EiceDRIVER™ Gate-Treiber bieten eine große Auswahl von typischen Ausgangsstromoptionen von 0,1 μA bis 10 μA. Diese Bauteile verfügen über robuste Gate-Treiber-Schutzfunktionen, wie z. B. schnelle Kurzschluss-Sicherung (DESAT), aktive Miller-Klemme, Durchzündungsschutz, Fehler-, Abschalt- und Überstromschutz. Diese Funktionen machen diese Treiber-ICs ideal für Silizium- und Breitbandlücken-Leistungsbauteile, einschließlich CoolGaN™ und CoolSiC™. Aus diesem Grund bietet der Infineon mehr als 500 EiceDRIVER™ Gate-Treiber-IC-Lösungen, die sich für jeden Leistungsschalter und jede Applikation eignen.

Einkanal-MOSFET-Gatetreiber-ICs

Die Einkanal-MOSFET-Gatter-Treiber-ICs von Infineon sind ein wesentliches Bindeglied zwischen Steuer-ICs und leistungsstarken MOSFET- und GaN-Schaltern. Die Gatetreiber-ICs von Infineon ermöglichen eine hohe Effizienz auf Systemebene, bieten eine exzellente Leistungsdichte und eine dauerhafte Systemrobustheit.
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Isolierte Gate-Treiber

Infineon Isolierte Gate-Treiber verwenden eine magnetisch gekoppelte kernlose Transformator-Technologie (CT) zur Übertragung von Signalen über die galvanische Trennung. Diese Treiber bieten funktionale grundlegende, verstärkte isolierte, UL 1577- und VDE 0884-zertifizierte Produkte. Die Isolierung ermöglicht sehr große Spannungsschwankungen (z.B. ±1.200 V). Diese isolierten Treiber enthalten die wichtigsten Merkmale und Parameter für MOSFET-, IGBT-, IGBT-Module, SiC-MOSFET- und GaN-HEMT-Antrieb.

DC-EV-Ladelösungen

Die DC-EV-Ladelösungen von Infineon sind ein Portfolio von Halbleitern mit hohem Wirkungsgrad, die der steigenden Nachfrage nach schnelleren Batterieladesystemen in Elektrofahrzeugen (EV) gerecht werden. Aufgrund ihrer schnelleren Ladezeiten sind DC-Ladestationen derzeit die attraktivere Lösung als herkömmliche AC-EV-Ladestationen. Mit einer 120-kW-DC-Ladesäule kann nahezu 80 % einer Batterie in 30 Minuten geladen werden. Mit der Weiterentwicklung von Schnellladetechnologien wird sich die Ladezeit noch weiter verkürzen. Die Entwicklung einer erfolgreichen DC-EV-Versorgung kann jedoch eine schwierige Aufgabe sein. Die Designs müssen zur Verkürzung der Ladezeiten eine verbesserte Ausgangsleistung bieten, die Leistungsdichte innerhalb einer Gruppe von Ladestationen erhöhen, den Wirkungsgrad durch Erhöhung der Lasten verbessern und die Verlustleistung verringern. Infineon ist in der Lage, EV-Ladelösungen zu bieten, die Kilowatt- bis Megawatt-Leistungsbereiche abdecken und Hochspannungs-MOSFETs, SIC-Dioden, Mikrocontroller, AC/DC-Leistungsumwandlung und Gatetreiber-ICs umfassen.