8 bit 4 Gbit Halbleiter

Arten von Halbleitern
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Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (EUR) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern.
Menge RoHS
Zentel Japan DRAM DDR3&DDR3L 4Gb, 512Mx8, 1866 at CL13, 1.35V&1.5V, FBGA-78
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 2.090
Mult.: 2.090

Zentel Japan DRAM DDR3 4Gb, 512Mx8, 2133 at CL14, 1.5V, FBGA-78
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 2.090
Mult.: 2.090

Zentel Japan DRAM DDR3L 4Gb, 512Mx8, 2133 at CL14, 1.35V, FBGA-78
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 2.090
Mult.: 2.090

Zentel Japan DRAM DDR3&DDR3L 4Gb, 512Mx8, 1866 at CL13, 1.35V&1.5V, FBGA-78, Ind. Temp.
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 16 Wochen
Min.: 2.090
Mult.: 2.090

Zentel Japan DRAM DDR3 4Gb, 512Mx8, 2133 at CL14, 1.5V, FBGA-78, Ind. Temp.
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 16 Wochen
Min.: 2.090
Mult.: 2.090

ISSI NAND-Flash 4Gb (x8, 4bit ECC), TSOP-48, 3V, RoHS, IT, T&R
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 1.500
Mult.: 1.500
: 1.500

ISSI NAND-Flash 4Gb (x8, 4bit ECC), TSOP-48, 1.8V, RoHS, IT, T&R
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 1.500
Mult.: 1.500
: 1.500

ISSI NAND-Flash 4Gb (x8, 8bit ECC), TSOP-48, 3V, RoHS, IT, T&R, , AutoGrade
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 1.500
Mult.: 1.500
: 1.500

ISSI DRAM 4G, 1.2V, DDR4, 512Mx8, 2400MT/s @ 16-16-16, 78 ball BGA (10mm x14mm) RoHS, T&R
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 36 Wochen
Min.: 2.000
Mult.: 2.000
: 2.000

ISSI DRAM 4G, 1.2V, DDR4, 512Mx8, 2400MT/s @ 16-16-16, 78 ball BGA (10mm x14mm) RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 36 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

ISSI DRAM 4G, 1.2V, DDR4, 512Mx8, 2400MT/s @ 16-16-16, 78 ball BGA (10mm x14mm) RoHS, IT, T&R
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 36 Wochen
Min.: 2.000
Mult.: 2.000
: 2.000

ISSI DRAM 4G, 1.5V, DDR3, 512Mx8, 1600MT/s @ 11-11-11, 78 ball BGA (8mm x10.5mm) RoHS, IT, T&R
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 40 Wochen
Min.: 2.000
Mult.: 2.000
: 2.000

ISSI DRAM 4G, 1.5V, DDR3, 512Mx8, 1600MT/s @ 11-11-11, 78 ball BGA (8mm x10.5mm) RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 40 Wochen
Min.: 242
Mult.: 242

ISSI DRAM 4G, 1.5V, DDR3, 512Mx8, 1600MT/s @ 11-11-11, 78 ball BGA (8mm x10.5mm) RoHS, T&R
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 40 Wochen
Min.: 2.000
Mult.: 2.000
: 2.000

ISSI DRAM 4G, 1.35V, DDR3L, 512Mx8, 1600MT/s @ 11-11-11, 78 ball BGA (8mm x10.5mm) RoHS, IT, T&R
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 40 Wochen
Min.: 2.000
Mult.: 2.000
: 2.000

ISSI NAND-Flash 4G 3.3V x8 NAND-Flash Q100
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 1.500
Mult.: 1.500
: 1.500

ISSI NAND-Flash SLC NAND,4Gb (x8, 8bit ECC) 3V,63-ball VFBGA 9x11x1.0mm
Datenblatt
Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

ISSI NAND-Flash SLC NAND,4Gb (x8, 8bit ECC) 3V,48-pin TSOP (Type I) 12x20mm
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

ISSI NAND-Flash 4Gb (x8, 8bit ECC), TSOP-48, 3V, RoHS, IT, , AutoGrade
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 96
Mult.: 96

ISSI NAND-Flash 4Gb, 8bit ECC, 8-contact WSON 8x6mm, 3V, RoHS, IT
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

Alliance Memory DRAM DDR3, 4G, 512M x 8, 1.35V, 78-Ball FBGA, 800 MHz, Commercial Temp - Tray
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 30 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

Alliance Memory DRAM DDR3, 4G, 512M x 8, 1.35V, 78-Ball FBGA, 800 MHz, Industrial Temp - Tray
Datenblatt
Vorlaufzeit 30 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

Alliance Memory DRAM DDR3, 4G, 512M x 8, 1.35V, 96-BALL FBGA, 933MHZ, Automotive Temp - Tray
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 30 Wochen
Min.: 242
Mult.: 242

Alliance Memory DRAM DDR3, 4G, 512M x 8, 1.35V, 78-Ball FBGA, 800 MHz, Commercial Temp - Tape & Reel
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 30 Wochen
Min.: 2.500
Mult.: 2.500
: 2.500

Alliance Memory DRAM DDR3, 4G, 512M x 8, 1.35V, 78-Ball FBGA, 800 MHz, Industrial Temp - Tape & Reel
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 30 Wochen
Min.: 2.500
Mult.: 2.500
: 2.500