Broadcom AFBR-S4N44P164M 4×4 NUV-MT Photo Multiplier Array
Das Broadcom/Avago AFBR-S4N44P164M 4 × 4 NUV-MT Silicon Photomultiplier (SiPM) Array verfügt über eine Verkapselung, die eine ausgezeichnete mechanische Stabilität und Robustheit erreicht. Eine klare Epoxid-Formmasse berücksichtigt diese Eigenschaften und ermöglicht eine hohe Transparenz bis hin zu UV-Wellenlängen. Dies führt zu einer breiten Reaktion im sichtbaren Lichtspektrum mit hoher Empfindlichkeit gegenüber dem blauen und nahen UV-Bereich des Lichtspektrums.
Der AFBR-S4N44P164M 4×4 NUV-MT SiPM basiert auf der NUV-MT-Technologie. Die NUV-MT-Technologie kombiniert eine verbesserte PhotoerkennungsWirkungsgrad (PDE) mit einer geringeren Dunkelzählrate und einem reduzierten Nebensignaleffekt im Vergleich zur NUV-HD-Technologie. Der Rasterabstand der SiPMs beträgt 4 mm in beiden Richtungen. Mehrere AFBR-S4N44P164M-Arrays decken größere Flächen mit einem Raster von 16 mm fast ohne Edgeverluste ab.
Das Broadcom/Avago AFBR-S4N44P164M 4×4 NUV-MT Photomultiplier Array ist ideal für die Erkennung von schwachen gepulsten Lichtquellen. Die Erkennung umfasst Tscherenkow- oder Szintillationslicht aus den gängigsten organischen (Kunststoff) und anorganischen Szintillatormaterialien (LSO, LYSO, BGO, NaI, CsI, BaF, LaBr3). Außerdem ist der AFBR-S4N44P164M bleifrei und RoHS-konform.
Merkmale
- 4×4 SiPM-Array
- Array-Größe 16,00 mm × 16,00 mm
- Hohe PDE (63 % bei 420 nm)
- Ausgezeichnete SPTR und CRT
- Ausgezeichnete Gleichmäßigkeit der Durchschlagspannung
- Ausgezeichnete Einheitlichkeit der Gain
- 4-seitig kachelbar, mit hohen Füllfaktoren
- Zellenrastermaß: 40 μm
- Hochtransparente Epoxid-Schutzschicht
- Betriebstemperaturbereich von -20 °C bis +50 °C
- RoHS-, CFM- und REACH-konform
Applikationen
- Röntgen- und Gammastrahlenerkennung
- Nuklearmedizin
- Positronen-Emissions-Tomografie
- Schutz und Sicherheit
- Physikalische Experimente
- Cherenkov-Detektion
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