Die stromsparenden 512M Mobil-SDRAMs (MSDR) AS4C32M16MS und AS4C16M32MS von Alliance Memory sind schnelle CMOS-DDR2-DRAMs. Es sind synchrone DRAMs mit vier Speicherbanken und entweder mit Anordnungen von 4 Banken x 8 Mbit x 16 oder 4 Banken x 4 Mbit x 32 erhältlich.
Durch die Verwendung einer speziellen Chip-Architektur können die AS4C32M16MS / AS4C16M32MS Daten mit einer Geschwindigkeit von bis zu 166 MHz uploaden. Diese Chip-Architektur ruft zahlreiche Bits im voraus ab und synchronisiert die Outputdaten mit einer Systemuhr. Alle Steuerungs-, Anwahl-, Daten-Ein- und -ausgangsschaltkreise werden mit der ansteigenden Flanke eines externen Takts synchronisiert.
Merkmale
Anordnung: 4 Banken x 8 Mbit x 16
Anordnung: 4 Banken x 4 Mbit x 32
Hohe Datenübertragungsraten von bis zu 166 MHz
Voller synchroner DRAM, alle Signale verweisen auf steigende Taktflanke
Gepulste RAS Signalschnittstelle
Datenmaskierung für Read/Write Steuerung
Vier Speicherbanken über BA0 & BA1 gesteuert
Programmierbare CAS-Latenz: 2, 3
Programmierbare Speicherverschränkung: Sequenziell oder Interleave
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